STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 22 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, MDmesh DM2

Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 2 enheter)*

96,54 kr

(exkl. moms)

120,68 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 27 augusti 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
2 - 848,27 kr96,54 kr
10 - 1845,92 kr91,84 kr
20 - 4841,27 kr82,54 kr
50 - 9837,185 kr74,37 kr
100 +35,225 kr70,45 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
111-6480
Tillv. art.nr:
STW28N60DM2
Tillverkare / varumärke:
STMicroelectronics
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

STMicroelectronics

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

22A

Maximal källspänning för dränering Vds

650V

Serie

MDmesh DM2

Kapseltyp

TO-247

Fästetyp

Genomgående hål

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

160mΩ

Kanalläge

Förbättring

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Framåtriktad spänning Vf

1.6V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

39nC

Maximal spänning för grindkälla Vgs

25 V

Maximal effektförlust Pd

190W

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

No

Längd

15.75mm

Höjd

20.15mm

Bredd

5.15 mm

Fordonsstandard

Nej

N-Channel MDmesh DM2 Series, STMicroelectronics


The MDmesh DM2 MOSFETs offer low RDS(on) and with the Improved diode reverse recovery time for efficiency, this series is optimised for full-bridge phase-shifted ZVS topologies.

High dV/dt capability for improved system reliability

AEC-Q101 qualified

MOSFET-transistorer, STMicroelectronics


Relaterade länkar