Infineon OptiMOS 6 Type N-Channel Single MOSFETs, 75 A, 200 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IPB175N20NM6ATMA1
- RS-artikelnummer:
- 690-440
- Tillv. art.nr:
- IPB175N20NM6ATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Denna bild representerar endast produktgruppen
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 förpackning med 5 enheter)*
127,99 kr
(exkl. moms)
159,99 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 01 juni 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 25,598 kr | 127,99 kr |
| 50 - 245 | 20,724 kr | 103,62 kr |
| 250 - 495 | 15,878 kr | 79,39 kr |
| 500 + | 12,708 kr | 63,54 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 690-440
- Tillv. art.nr:
- IPB175N20NM6ATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Lagstiftning och ursprungsland
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | Single MOSFETs | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 75A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 200V | |
| Package Type | TO-263 | |
| Series | OptiMOS 6 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 5mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 15nC | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | ±20 V | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Length | 15.9mm | |
| Width | 10.20 mm | |
| Height | 4.50mm | |
| Standards/Approvals | ISO 128-30, RoHS | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type Single MOSFETs | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 75A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 200V | ||
Package Type TO-263 | ||
Series OptiMOS 6 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 5mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 15nC | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs ±20 V | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Length 15.9mm | ||
Width 10.20 mm | ||
Height 4.50mm | ||
Standards/Approvals ISO 128-30, RoHS | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
relaterade länkar
- Infineon OptiMOS 6 Type N-Channel Single MOSFETs 200 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IPP175N20NM6AKSA1
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 200 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET & Diode 75 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- Infineon OptiMOS 3 Type N-Channel MOSFET 75 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 200 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IPB107N20N3GATMA1
- Infineon OptiMOS 3 Type N-Channel MOSFET 75 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IPB020NE7N3GATMA1
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET & Diode 75 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IPB100N08S2L07ATMA1
- Infineon OptiMOS FD Type N-Channel MOSFET 200 V Enhancement, 3-Pin TO-263