ROHM Typ N Kanal, Enkla MOSFETs, 75 A 1200 V Förbättring, 8 Ben, TO-263-7LA, SCT4018KWA
- RS-artikelnummer:
- 687-342
- Tillv. art.nr:
- SCT4018KWATL
- Tillverkare / varumärke:
- ROHM
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 längd med 2 enheter)*
525,83 kr
(exkl. moms)
657,288 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
I lager
- 1 000 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per tejp* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | 262,915 kr | 525,83 kr |
| 10 + | 255,055 kr | 510,11 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 687-342
- Tillv. art.nr:
- SCT4018KWATL
- Tillverkare / varumärke:
- ROHM
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | ROHM | |
| Produkttyp | Enkla MOSFETs | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 75A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 1200V | |
| Serie | SCT4018KWA | |
| Kapseltyp | TO-263-7LA | |
| Fästetyp | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 18mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 267W | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 21 V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 170nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 15.4mm | |
| Bredd | 10.2 mm | |
| Höjd | 4.5mm | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke ROHM | ||
Produkttyp Enkla MOSFETs | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 75A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 1200V | ||
Serie SCT4018KWA | ||
Kapseltyp TO-263-7LA | ||
Fästetyp Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 18mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 267W | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 21 V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 170nC | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 15.4mm | ||
Bredd 10.2 mm | ||
Höjd 4.5mm | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- TH
The ROHM N channel SiC power MOSFET, designed for efficient power management in a variety of applications. With a maximum drain-source voltage of 1200V and a low on-resistance of 18mΩ, this MOSFET optimises performance in high-efficiency systems like solar inverters and induction heating. It provides robust thermal management with a junction temperature range of up to 175°C, ensuring reliable operation even in demanding environments. The device features a fast switching speed, making it ideal for applications requiring high-frequency switching, thereby enhancing overall system efficiency and performance.
Low on resistance ensures minimal energy loss during operation
Supports fast switching speeds for improved efficiency
Designed for easy parallel operation, facilitating scalability
Robust thermal characteristics enable operation in extreme conditions
Pb free lead plating complies with RoHS standards for environmental safety
Wide creepage distance of 4.7 mm enhances reliability in high-voltage applications
Ideal for various applications including solar inverters and DC/DC converters
Relaterade länkar
- ROHM Typ N Kanal 40 A 1200 V Förbättring TO-263-7LA, SCT4036KWA
- ROHM Typ N Kanal 17 A 1200 V Förbättring TO-263-7LA, SCT
- ROHM Typ N Kanal 17 A 1200 V Förbättring TO-263-7LA, SCT AEC-Q101
- ROHM Typ N Kanal 24 A 1200 V Förbättring TO-263-7LA, SCT AEC-Q101
- ROHM Typ N Kanal 31 A 31 V Förbättring TO-263-7LA, SCT4045 AEC-Q101
- ROHM Typ N Kanal 40 A 1200 V Förbättring TO-263
- ROHM Typ N Kanal 17 A 1200 V Förbättring TO-263
- ROHM Typ N Kanal 75 A 1200 V Förbättring TO-263