ROHM Typ N Kanal, MOSFET, 24 A 1200 V Förbättring, 7 Ben, TO-263-7LA, SCT AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 264-886
- Tillv. art.nr:
- SCT4062KWAHRTL
- Tillverkare / varumärke:
- ROHM
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 enhet)*
97,44 kr
(exkl. moms)
121,80 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 1 000 enhet(er) från den 24 augusti 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 - 9 | 97,44 kr |
| 10 - 99 | 87,81 kr |
| 100 - 499 | 80,86 kr |
| 500 - 999 | 75,04 kr |
| 1000 + | 60,93 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 264-886
- Tillv. art.nr:
- SCT4062KWAHRTL
- Tillverkare / varumärke:
- ROHM
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | ROHM | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 24A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 1200V | |
| Kapseltyp | TO-263-7LA | |
| Serie | SCT | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 7 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 81mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 93W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 3.3V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 64nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS Compliant | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke ROHM | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 24A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 1200V | ||
Kapseltyp TO-263-7LA | ||
Serie SCT | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 7 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 81mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 93W | ||
Framåtriktad spänning Vf 3.3V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 64nC | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS Compliant | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
ROHM silikonkarbid (SiC) MOSFET har ett högt spänningsmotstånd, lågt PÅ-motstånd och snabb omkopplingshastighet.
Godkänd enligt AEC-Q101
Låg på-resistans
Snabb kopplingshastighet
Snabb omvänd återhämtning
Enkel att parallellkoppla
Enkel att driva
Blyfri plätering och RoHS-kompatibel
Relaterade länkar
- ROHM Typ N Kanal, MOSFET, 17 A 1200 V Förbättring, 7 Ben, TO-263-7LA, SCT AEC-Q101
- ROHM Typ N Kanal, MOSFET, 17 A 1200 V Förbättring, 7 Ben, TO-263-7LA, SCT
- ROHM Typ N Kanal, Enkla MOSFETs, 75 A 1200 V Förbättring, 8 Ben, TO-263-7LA, SCT4018KWA
- ROHM Typ N Kanal, Enkla MOSFETs, 40 A 1200 V Förbättring, 8 Ben, TO-263-7LA, SCT4036KWA
- ROHM Typ N Kanal, MOSFET, 17 A 1200 V Förbättring, 7 Ben, TO-263, SCT
- ROHM Typ N Kanal, MOSFET, 30 A 1200 V Förbättring, 7 Ben, TO-263, SCT
- ROHM Typ N Kanal, MOSFET, 23 A 1200 V Förbättring, 7 Ben, TO-263, SCT
- ROHM Typ N Kanal, MOSFET, 24 A 1200 V Förbättring, 7 Ben, TO-263, SCT