Sök efter MPN

Vishay SIS9122 Dual N-Channel Single MOSFETs, 7.1 A, 100 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK

RS-artikelnummer:: 653-098
Tillv. art.nr:: SIS9122DN-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:: Vishay

Vishay SIS9122 Dual N-Channel Single MOSFETs, 7.1 A, 100 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK

Mängdrabatt möjlig

Antal (1 längd med 1 enhet)*

16,13 kr

(exkl. moms)

20,16 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr

I lager

6 000 enhet(er) är redo att levereras

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Längd(er)	Per Längd
1 - 24	16,13 kr
25 - 99	15,57 kr
100 - 499	15,34 kr
500 - 999	12,88 kr
1000 +	12,10 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 653-098
Tillv. art.nr:: SIS9122DN-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:: Vishay

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Brand	Vishay
	Product Type	Single MOSFETs
	Channel Type	Dual N
	Maximum Continuous Drain Current Id	7.1A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	100V
	Package Type	PowerPAK
	Series	SIS9122
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	0.16Ω
	Channel Mode	Enhancement
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	3.8nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	±20 V
	Maximum Power Dissipation Pd	17.8W
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Length	3.3mm
	Width	3.3 mm
	Standards/Approvals	No
	Height	0.8mm
	Automotive Standard	No

	Välj alla
	Brand Vishay
	Product Type Single MOSFETs
	Channel Type Dual N
	Maximum Continuous Drain Current Id 7.1A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 100V
	Package Type PowerPAK
	Series SIS9122
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 0.16Ω
	Channel Mode Enhancement
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 3.8nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs ±20 V
	Maximum Power Dissipation Pd 17.8W
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Length 3.3mm
	Width 3.3 mm
	Standards/Approvals No
	Height 0.8mm
	Automotive Standard No

Datasheet - SIS9122DN-T1-GE3

COO (Country of Origin):: CN

The Vishay automotive-grade dual N-channel MOSFET designed for high-efficiency switching in Compact power systems. It supports up to 100 V drain-source voltage. Packaged in PowerPAK 1212-8 Dual, it utilizes TrenchFET Gen IV technology for optimized electrical and thermal performance.

Pb Free

Halogen free

RoHS compliant

Vishay SIS9122 Dual N-Channel Single MOSFETs, 7.1 A, 100 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK

GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr

relaterade länkar