Vishay SI2122DS Type N-Channel Single MOSFETs, 2.17 A, 100 V Enhancement, 3-Pin PowerPAK

Se alla MOSFETs
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 längd med 1 enhet)*

3,47 kr

(exkl. moms)

4,34 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 6 000 enhet(er) från den 29 december 2025
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Längd(er)
Per Längd
1 - 243,47 kr
25 - 993,14 kr
100 - 4992,80 kr
500 - 9992,46 kr
1000 +2,13 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
653-087
Tillv. art.nr:
SI2122DS-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

Single MOSFETs

Maximum Continuous Drain Current Id

2.17A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Package Type

PowerPAK

Series

SI2122DS

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.160Ω

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1.2V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

2.9nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

1.6W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±20 V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
CN
The Vishay N-channel MOSFET designed for compact, high-efficiency switching in low-power applications. It supports up to 100 V drain-source voltage. Packaged in a SOT-23 format, it utilizes TrenchFET Gen IV technology for low RDS(on), fast switching, and efficient thermal performance in space-constrained designs.

Pb Free

Halogen free

RoHS compliant

Used in LED backlighting

relaterade länkar