Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 13 A 650 V Förbättring, 8 Ben, PG-TSON-8, IGLR65

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 5 enheter)*

150,30 kr

(exkl. moms)

187,90 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 4 995 enhet(er) från den 16 mars 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
5 - 4530,06 kr150,30 kr
50 - 9528,538 kr142,69 kr
100 +26,454 kr132,27 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
351-876
Tillv. art.nr:
IGLR65R140D2XUMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

13A

Maximal källspänning för dränering Vds

650V

Kapseltyp

PG-TSON-8

Serie

IGLR65

Fästetyp

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

0.17Ω

Kanalläge

Förbättring

Maximal spänning för grindkälla Vgs

25 V

Maximal effektförlust Pd

47W

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

1.8nC

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

JEDEC for Industrial Applications

Fordonsstandard

Nej

COO (ursprungsland):
MY
The Infineon GaN power transistor allows for increased efficiency at high-frequency operation. As part of the CoolGaN 650 V G5 family, it meets the highest quality standards, enabling highly reliable designs with superior efficiency. Housed in a bottom-side cooled ThinPAK package, it is well-suited for consumer and industrial applications with slim form factors.

650 V e-mode power transistor

Ultrafast switching

No reverse-recovery charge

Capable of reverse conduction

Low gate charge, low output charge

Superior commutation ruggedness

Low dynamic RDS(on)

High ESD robustness: 2 kV HBM - 1 kV CDM

Bottom-side cooled package

JEDEC qualified (JESD47, JESD22)

Relaterade länkar