Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 7.2 A 650 V Förbättring, 8 Ben, PG-TSON-8, IGLR65
- RS-artikelnummer:
- 351-874
- Tillv. art.nr:
- IGLR65R270D2XUMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 förpackning med 5 enheter)*
81,98 kr
(exkl. moms)
102,475 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
I lager
- 5 000 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 16,396 kr | 81,98 kr |
| 50 - 95 | 15,59 kr | 77,95 kr |
| 100 - 495 | 14,47 kr | 72,35 kr |
| 500 - 995 | 13,306 kr | 66,53 kr |
| 1000 + | 12,768 kr | 63,84 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 351-874
- Tillv. art.nr:
- IGLR65R270D2XUMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 7.2A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 650V | |
| Serie | IGLR65 | |
| Kapseltyp | PG-TSON-8 | |
| Fästetyp | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 0.33Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 10 V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 1nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 28W | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | JEDEC for Industrial Applications | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 7.2A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 650V | ||
Serie IGLR65 | ||
Kapseltyp PG-TSON-8 | ||
Fästetyp Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 0.33Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 10 V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 1nC | ||
Maximal effektförlust Pd 28W | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden JEDEC for Industrial Applications | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- MY
The Infineon GaN power transistor allows for increased efficiency at high-frequency operation. As part of the CoolGaN 650 V G5 family, it meets the highest quality standards, enabling highly reliable designs with superior efficiency. Housed in a bottom-side cooled ThinPAK package, it is well-suited for consumer applications with slim form factors.
650 V e-mode power transistor
Ultrafast switching
No reverse-recovery charge
Capable of reverse conduction
Low gate charge and low output charge
Superior commutation ruggedness
Low dynamic RDS(on)
High ESD robustness: 2 kV HBM - 1 kV CDM
Bottom-side cooled package
JEDEC qualified (JESD47, JESD22)
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal 9.2 A 650 V Förbättring PG-TSON-8, IGLR65
- Infineon Typ N Kanal 13 A 650 V Förbättring PG-TSON-8, IGLR65
- Infineon Typ N Kanal 30 A 650 V Förbättring PG-TSON-8, CoolGaN G5
- Infineon Typ N Kanal 99 A 80 V Förbättring PG-TSON-8, OptiMOS
- Infineon Typ N Kanal 88 A 200 V Förbättring PG-TSON-8, ISC
- Infineon Typ N Kanal 172 A 135 V Förbättring PG-TSON-8, ISC
- Infineon 1 Typ N Kanal 8 Ben OptiMOS 6 Power Transistor
- Infineon Typ N Kanal 59 A 650 V Förbättring PG-HSOF-8, CoolSiC MOSFET 650 V G1