Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 53 A 650 V Förbättring, 4 Ben, PG-TO247-4, IMZA65

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 enhet)*

131,82 kr

(exkl. moms)

164,78 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 240 enhet(er) från den 12 mars 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
1 - 9131,82 kr
10 - 99118,72 kr
100 +109,54 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
351-871
Tillv. art.nr:
IMZA65R033M2HXKSA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

53A

Uteffekt

194W

Maximal källspänning för dränering Vds

650V

Serie

IMZA65

Kapseltyp

PG-TO247-4

Fästetyp

Genomgående hål

Antal ben

4

Kanalläge

Förbättring

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal arbetstemperatur

175°C

Bredd

21.1 mm

Höjd

5.1mm

Standarder/godkännanden

JEDEC

Längd

15.9mm

Fordonsstandard

Nej

COO (ursprungsland):
CN
The Infineon CoolSiC MOSFET 650 V, 33 mΩ G2 in a TO-247-4 package builds on the strengths of Generation 1 technology and enables the accelerated system design of more cost optimized, efficient, compact, and reliable solutions. Generation 2 comes with significant improvements in key figures-of-merit for both, hard-switching operation and soft-switching topologies, suitable for all common combinations of AC-DC, DC-DC, and DC-AC stages.

Excellent figures of merit (FOMs)

Best in class RDS(on)

High robustness and overall quality

Flexible driving voltage range

Support for unipolar driving (VGSoff=0)

Best immunity against turn-on effects

Improved package interconnect with .XT

4-pin package

Relaterade länkar