Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 144 A 650 V Förbättring, 4 Ben, PG-TO247-4, IMZA65

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 enhet)*

320,10 kr

(exkl. moms)

400,12 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 240 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
1 - 9320,10 kr
10 - 99288,18 kr
100 +265,66 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
351-868
Tillv. art.nr:
IMZA65R010M2HXKSA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

144A

Uteffekt

440W

Maximal källspänning för dränering Vds

650V

Serie

IMZA65

Kapseltyp

PG-TO247-4

Fästetyp

Genomgående hål

Antal ben

4

Kanalläge

Förbättring

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal arbetstemperatur

175°C

Standarder/godkännanden

JEDEC

Bredd

21.1 mm

Längd

15.9mm

Höjd

5.1mm

Fordonsstandard

Nej

COO (ursprungsland):
CN
The Infineon CoolSiC MOSFET 650 V, 10 mΩ G2 in a TO-247-4 package builds on the strengths of Generation 1 technology and enables the accelerated system design of more cost optimized, efficient, compact, and reliable solutions. Generation 2 comes with significant improvements in key figures-of-merit for both, hard-switching operation and soft-switching topologies, suitable for all common combinations of AC-DC, DC-DC, and DC-AC stages.

Excellent figures of merit (FOMs)

Best in class RDS(on)

High robustness and overall quality

Flexible driving voltage range

Support for unipolar driving (VGSoff=0)

Best immunity against turn-on effects

Improved package interconnect with .XT

4-pin package

Relaterade länkar