Infineon Typ N Kanal, Effekttransistor, 451 A 40 V Förbättring, 12 Ben, PG-TSON-12, IQF

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 2 enheter)*

101,02 kr

(exkl. moms)

126,28 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 3 000 enhet(er) från den 16 mars 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
2 - 1850,51 kr101,02 kr
20 - 19845,415 kr90,83 kr
200 - 99841,945 kr83,89 kr
1000 - 199838,92 kr77,84 kr
2000 +34,89 kr69,78 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
349-390
Tillv. art.nr:
IQFH55N04NM6ATMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

Effekttransistor

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

451A

Maximal källspänning för dränering Vds

40V

Serie

IQF

Kapseltyp

PG-TSON-12

Fästetyp

Yta

Antal ben

12

Maximal drain-källresistans Rds

0.55mΩ

Kanalläge

Förbättring

Framåtriktad spänning Vf

1V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20 V

Maximal effektförlust Pd

214W

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

118nC

Maximal arbetstemperatur

175°C

Standarder/godkännanden

IEC61249-2-21, JEDEC, RoHS

Fordonsstandard

Nej

COO (ursprungsland):
MY
The Infineon OptiMOS 6 Power Transistor, 40 V is specifically optimized for low voltage drive applications and battery powered systems, making it ideal for energy efficient designs. It is also optimized for synchronous applications, ensuring enhanced performance. The MOSFET features very low on-resistance (RDS(on)), minimizing conduction losses for improved efficiency. Additionally, it is 100% avalanche tested, ensuring reliable performance under demanding conditions.

Superior thermal resistance

N channel

Pb free lead plating and RoHS compliant

Halogen free according to IEC61249-2-21

Relaterade länkar