Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 89 A 750 V Förbättring, 4 Ben, PG-TO247-4, CoolSiC

Se alla MOSFET-transistor
Inte tillgänglig
RS kommer inte längre att lagerföra denna produkt.
RS-artikelnummer:
349-339
Tillv. art.nr:
IMZA75R016M1HXKSA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

89A

Maximal källspänning för dränering Vds

750V

Serie

CoolSiC

Kapseltyp

PG-TO247-4

Fästetyp

Genomgående hål

Antal ben

4

Maximal drain-källresistans Rds

22mΩ

Kanalläge

Förbättring

Maximal spänning för grindkälla Vgs

23 V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

81nC

Maximal effektförlust Pd

319W

Maximal arbetstemperatur

175°C

Standarder/godkännanden

RoHS

Fordonsstandard

Nej

COO (ursprungsland):
CN
The Infineon 750 V CoolSiC Power Device G1 is built on Infineon’s solid silicon carbide technology, developed over more than 20 years. By leveraging the unique characteristics of wide bandgap SiC materials, the 750 V CoolSiC MOSFET delivers a unique combination of performance, reliability, and ease of use. It is specifically designed for high temperature and harsh operating conditions, enabling the simplified and cost effective deployment of systems with the highest efficiency. This MOSFET is perfect for applications requiring robust performance and energy efficient solutions.

Enhanced robustness and reliability for bus voltages beyond 500 V

Superior efficiency in hard switching

Higher switching frequency in soft switching topologies

Robustness against parasitic turn on for unipolar gate driving

Reduced switching losses through improved gate control

Relaterade länkar