Infineon Typ N Kanal, Effekttransistor, 297 A 135 V Förbättring, 8 Ben, PG-HSOG-8, IPT
- RS-artikelnummer:
- 349-136
- Tillv. art.nr:
- IPTG020N13NM6ATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 enhet)*
95,20 kr
(exkl. moms)
119,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
I lager
- 1 800 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 - 9 | 95,20 kr |
| 10 - 99 | 85,57 kr |
| 100 - 499 | 79,07 kr |
| 500 - 999 | 73,25 kr |
| 1000 + | 65,74 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 349-136
- Tillv. art.nr:
- IPTG020N13NM6ATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | Effekttransistor | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 297A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 135V | |
| Kapseltyp | PG-HSOG-8 | |
| Serie | IPT | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 2mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1V | |
| Maximal effektförlust Pd | 395W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 159nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | IEC61249-2-21, JEDEC, J-STD-020, RoHS | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp Effekttransistor | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 297A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 135V | ||
Kapseltyp PG-HSOG-8 | ||
Serie IPT | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 2mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 1V | ||
Maximal effektförlust Pd 395W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 159nC | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden IEC61249-2-21, JEDEC, J-STD-020, RoHS | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- MY
The Infineon OptiMOS 6 Power Transistor, 135 V is an N-channel, normal level MOSFET designed to deliver high efficiency performance in power applications. It features very low on-resistance (RDS(on)), which minimizes conduction losses for greater energy efficiency. With an excellent gate charge x RDS(on) product (FOM), it ensures optimal switching performance. The MOSFET also offers very low reverse recovery charge (Qrr), improving switching efficiency. Additionally, it is 100% avalanche tested for reliability and can operate at 175°C, making it suitable for high temperature and demanding environments.
Optimized for motor drives and battery powered applications
Pb free lead plating
RoHS compliant
Halogen free according to IEC61249-2-21
MSL 1 classified according to J-STD-020
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal 212 A 135 V Förbättring PG-HSOG-8, IPT
- Infineon Typ N Kanal 297 A 135 V Förbättring PG-HSOF-8, IPT
- Infineon Typ N Kanal 331 A 120 V Förbättring PG-HSOG-8, IPT
- Infineon Typ N Kanal 297 A 135 V Förbättring PG-HSOF-16, IPT
- Infineon Typ N Kanal 52 A 650 V Förbättring PG-HSOF-8, IPT
- Infineon Typ N Kanal 137 A 200 V Förbättring PG-HSOF-8, IPT
- Infineon Typ N Kanal 70 A 600 V Förbättring PG-HSOF-8, IPT
- Infineon Typ N Kanal 172 A 135 V Förbättring PG-TSON-8, ISC