Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 10 A 1700 V Förbättring, 3 Ben, PG-TO-247-3-STD-NN4.8, CoolSiC

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 enhet)*

79,18 kr

(exkl. moms)

98,98 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 16 enhet(er) är redo att levereras
  • Dessutom levereras 240 enhet(er) från den 22 oktober 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
1 - 979,18 kr
10 - 9971,23 kr
100 - 49965,74 kr
500 - 99960,93 kr
1000 +54,66 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
349-109
Tillv. art.nr:
IMWH170R450M1XKSA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

10A

Maximal källspänning för dränering Vds

1700V

Kapseltyp

PG-TO-247-3-STD-NN4.8

Serie

CoolSiC

Typ av fäste

Genomgående hål

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

390mΩ

Kanalläge

Förbättring

Maximal effektförlust Pd

111W

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

11.7nC

Maximal arbetstemperatur

175°C

Standarder/godkännanden

RoHS

Fordonsstandard

Nej

COO (ursprungsland):
CN
The Infineon CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET is a high performance silicon carbide MOSFET designed for efficient power switching. It is 12 V / 0 V gate-source voltage compatible, making it suitable for use with most flyback controllers. Featuring a benchmark gate threshold voltage (VGS(th)) of 4.5 V, it ensures reliable and efficient switching performance in a wide range of power applications. This MOSFET is an excellent choice for systems requiring high voltage operation and enhanced energy efficiency.

Very low switching losses

Fully controllable dv/dt for EMI optimization

The .XT interconnection technology for best in class thermal performance

Relaterade länkar