Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 5.4 A 1700 V Förbättring, 3 Ben, PG-TO-247-3-STD-NN4.8, CoolSiC
- RS-artikelnummer:
- 349-108
- Tillv. art.nr:
- IMWH170R1K0M1XKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 förpackning med 2 enheter)*
111,10 kr
(exkl. moms)
138,88 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
I lager
- 14 enhet(er) är redo att levereras
- Dessutom levereras 240 enhet(er) från den 17 september 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 55,55 kr | 111,10 kr |
| 20 - 198 | 50,01 kr | 100,02 kr |
| 200 - 998 | 46,09 kr | 92,18 kr |
| 1000 - 1998 | 42,73 kr | 85,46 kr |
| 2000 + | 38,305 kr | 76,61 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 349-108
- Tillv. art.nr:
- IMWH170R1K0M1XKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 5.4A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 1700V | |
| Serie | CoolSiC | |
| Kapseltyp | PG-TO-247-3-STD-NN4.8 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 880mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 5.5nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 70W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 5.4A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 1700V | ||
Serie CoolSiC | ||
Kapseltyp PG-TO-247-3-STD-NN4.8 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 880mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 5.5nC | ||
Maximal effektförlust Pd 70W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
The Infineon CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET is a high performance silicon carbide MOSFET designed for efficient power switching. It is 12 V / 0 V gate-source voltage compatible, making it suitable for use with most flyback controllers. Featuring a benchmark gate threshold voltage (VGS(th)) of 4.5 V, it ensures reliable and efficient switching performance in a wide range of power applications. This MOSFET is an excellent choice for systems requiring high voltage operation and enhanced energy efficiency.
Very low switching losses
Fully controllable dv/dt for EMI optimization
The .XT interconnection technology for best in class thermal performance
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal 7.5 A 1700 V Förbättring PG-TO-247-3-STD-NN4.8, CoolSiC
- Infineon Typ N Kanal 10 A 1700 V Förbättring PG-TO-247-3-STD-NN4.8, CoolSiC
- Infineon Typ N Kanal 650 V PG-TO-247-3-STD-NN4.8 Genomgående hål
- Infineon Typ N Kanal 3 Ben, PG-TO-247-3-STD-NN4.8 Genomgående hål
- Infineon Typ N Kanal 17 A 1200 V Förbättring PG-TO-247-4-STD-NT6.7 AEC-Q100
- Infineon Typ N Kanal 69 A 1200 V Förbättring PG-TO-247-4-STD-NT6.7 AEC-Q100
- Infineon Typ N Kanal 55 A 1200 V Förbättring PG-TO-247-4-STD-NT6.7 AEC-Q100
- Infineon Typ N Kanal 38 A 1200 V Förbättring PG-TO-247-4-STD-NT6.7 AEC-Q100