Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 46 A 650 V Förbättring, 3 Ben, PG-TO-247, CoolSiC
- RS-artikelnummer:
- 349-064
- Tillv. art.nr:
- IMW65R040M2HXKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 enhet)*
99,23 kr
(exkl. moms)
124,04 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
I lager
- 231 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 - 9 | 99,23 kr |
| 10 - 99 | 89,38 kr |
| 100 - 499 | 82,43 kr |
| 500 - 999 | 76,38 kr |
| 1000 + | 68,43 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 349-064
- Tillv. art.nr:
- IMW65R040M2HXKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 46A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 650V | |
| Kapseltyp | PG-TO-247 | |
| Serie | CoolSiC | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 49mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 172W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 28nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 46A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 650V | ||
Kapseltyp PG-TO-247 | ||
Serie CoolSiC | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 49mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 172W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 28nC | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard Nej | ||
The Infineon CoolSiC MOSFET 650 V G2 is built on Infineon’s robust 2nd generation Silicon Carbide trench technology, offering unparalleled performance, superior reliability, and excellent ease of use. This MOSFET is designed to enable cost effective, highly efficient, and simplified designs, addressing the ever-growing demands of modern power systems and markets. It is an ideal solution for achieving high system efficiency in a wide range of applications, delivering reliable performance and superior functionality.
Ultra low switching losses
Robust against parasitic turn on even with 0 V turn off gate voltage
Flexible driving voltage and compatible with bipolar driving scheme
Robust body diode operation under hard commutation events
The .XT interconnection technology for best in class thermal performance
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal 46 A 650 V Förbättring TO-247, CoolSiC
- Infineon Typ N Kanal 93 A 650 V Förbättring PG-TO-247, CoolSiC
- Infineon Typ N Kanal 38 A 650 V Förbättring PG-TO-247, CoolSiC
- Infineon Typ N Kanal 83 A 650 V Förbättring PG-TO-247, CoolSiC
- Infineon Typ N Kanal 46 A 650 V Förbättring PG-TO247-4, CoolSiC
- Infineon Typ N Kanal 39 A 650 V Förbättring TO-247, CoolSiC
- Infineon Typ N Kanal 24 A 650 V Förbättring TO-247, CoolSiC
- Infineon Typ N Kanal 35 A 650 V Förbättring TO-247, CoolSiC