Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 46 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, CoolSiC

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 rör med 30 enheter)*

1 653,12 kr

(exkl. moms)

2 066,40 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • 240 enhet(er) levereras från den 09 juli 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
Per rör*
30 - 3055,104 kr1 653,12 kr
60 - 6052,349 kr1 570,47 kr
90 +49,041 kr1 471,23 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
232-0387
Tillv. art.nr:
IMW65R039M1HXKSA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

46A

Maximal källspänning för dränering Vds

650V

Kapseltyp

TO-247

Serie

CoolSiC

Typ av fäste

Genomgående hål

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

50mΩ

Kanalläge

Förbättring

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

Nej

The Infineon has SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 3-pin package. The CoolSiC MOSFET technology leverages the strong physical characteristics of silicon carbide, adding unique features that increase the device’s performance, robustness, and ease of use. The MOSFET 650V is built on a state-of-the-art trench semiconductor, optimized to allow no compromises in getting both the lowest losses in the application and the highest reliability in operation.

Low capacitances

Optimized switching behaviour at higher currents

Superior gate oxide reliability

Excellent thermal behaviour

Increased avalanche capability

Works with standard drivers

Relaterade länkar