Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 37 A 650 V Förbättring, 8 Ben, PG-LHSOF-4, CoolSiC
- RS-artikelnummer:
- 349-060
- Tillv. art.nr:
- IMTA65R060M2HXTMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 enhet)*
57,57 kr
(exkl. moms)
71,96 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 27 augusti 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 - 9 | 57,57 kr |
| 10 - 99 | 51,74 kr |
| 100 - 499 | 47,71 kr |
| 500 - 999 | 44,35 kr |
| 1000 + | 39,65 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 349-060
- Tillv. art.nr:
- IMTA65R060M2HXTMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 37A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 650V | |
| Kapseltyp | PG-LHSOF-4 | |
| Serie | CoolSiC | |
| Fästetyp | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 60mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 23 V | |
| Maximal effektförlust Pd | 165W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 18nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 37A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 650V | ||
Kapseltyp PG-LHSOF-4 | ||
Serie CoolSiC | ||
Fästetyp Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 60mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 23 V | ||
Maximal effektförlust Pd 165W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 18nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- MY
The Infineon CoolSiC MOSFET 650 V G2 is built on Infineon’s robust 2nd generation Silicon Carbide trench technology, offering unparalleled performance, superior reliability, and exceptional ease of use. This MOSFET enables cost effective, highly efficient, and simplified designs, making it ideal for meeting the ever-growing demands of modern power systems and markets. Its advanced technology provides a powerful solution for achieving high system efficiency in a wide range of applications.
Ultra low switching losses
Robust against parasitic turn‑on even with 0 V turn off gate voltage
Flexible driving voltage and compatible with bipolar driving scheme
Robust body diode operation under hard commutation events
The .XT interconnection technology for best in class thermal performance
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal 54 A 650 V Förbättring PG-LHSOF-4, CoolSiC
- Infineon Typ N Kanal 43 A 650 V Förbättring PG-LHSOF-4, IMT
- Infineon Typ N Kanal 77 A 650 V Förbättring PG-LHSOF-4, IMT
- Infineon Typ N Kanal 59 A 650 V Förbättring PG-HSOF-8, CoolSiC MOSFET 650 V G1
- Infineon Typ N Kanal 142 A 650 V Förbättring PG-HSOF-8, CoolSiC MOSFET 650 V G1
- Infineon Typ N Kanal 61 A 650 V Förbättring PG-HSOF-8, CoolSiC MOSFET 650 V G1
- Infineon Typ N Kanal 196 A 650 V Förbättring PG-HSOF-8, CoolSiC MOSFET 650 V G1
- Infineon Typ N Kanal 44 A 650 V Förbättring PG-HSOF-8, CoolSiC MOSFET 650 V G1