Infineon N Kanal, MOSFET, 44 A 650 V Förbättring, 8 Ben, PG-HSOF-8, CoolSiC MOSFET 650 V G1
- RS-artikelnummer:
- 284-724
- Tillv. art.nr:
- IMT65R057M1HXUMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer tillbaka i lager, RS har för avsikt att ta bort den från vårt utbud snart.
- RS-artikelnummer:
- 284-724
- Tillv. art.nr:
- IMT65R057M1HXUMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 44A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 650V | |
| Kapseltyp | PG-HSOF-8 | |
| Serie | CoolSiC MOSFET 650 V G1 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 203W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 28nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 23V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 44A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 650V | ||
Kapseltyp PG-HSOF-8 | ||
Serie CoolSiC MOSFET 650 V G1 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 203W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 28nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 23V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineons CoolSiC MOSFET 650 V G1 visar upp avancerad kiselkarbidteknik, noggrant utformad för hög prestanda och tillförlitlighet i krävande tillämpningar. Med hjälp av över två decennier av optimering ger denna MOSFET enastående effektivitet och användarvänlighet, vilket gör den till ett idealiskt val för olika implementeringar, inklusive solvärmeväxlare och laddningssystem för elfordon. Dess robusta egenskaper säkerställer tillförlitlig drift i miljöer med höga temperaturer, vilket banar väg för mer kompakta och effektiva effektdesigner. Förbättrad med en snabb kroppsdiod och överlägsen grindoxidtillförlitlighet, sticker denna produkt ut i sin kategori och erbjuder en unik balans mellan prestanda och användarvänlighet. Perfekt för ingenjörer som strävar efter spetskompetens inom strömförsörjningskretsar. Denna MOSFET förkroppsligar innovation och tillförlitlighet, vilket sätter ett nytt riktmärke i branschen.
Optimerad för högströmsomkoppling
Förbättrad lavinreaktionsförmåga för robusthet
Kompatibel med standarddrivrutiner för flexibilitet
Kelvin-källkonfiguration minskar växlingsförluster
Hög prestanda och tillförlitlighet i kombination
Idealisk för kontinuerlig hård omkoppling
Kompakt konstruktion ökar effekttätheten
Kvalificerad för industriella tillämpningar enligt JEDEC-standarder
Relaterade länkar
- Infineon N Kanal, MOSFET, 44 A 650 V Förbättring, 8 Ben, PG-HSOF-8, CoolSiC MOSFET 650 V G1
- Infineon N Kanal, MOSFET, 50 A 650 V Förbättring, 8 Ben, PG-HSOF-8, CoolSiC MOSFET 650 V G1
- Infineon N Kanal, MOSFET, 61 A 650 V Förbättring, 8 Ben, PG-HSOF-8, CoolSiC MOSFET 650 V G1
- Infineon N Kanal, MOSFET, 59 A 650 V Förbättring, 8 Ben, PG-HSOF-8, CoolSiC MOSFET 650 V G1
- Infineon N Kanal, MOSFET, 196 A 650 V Förbättring, 8 Ben, PG-HSOF-8, CoolSiC MOSFET 650 V G1
- Infineon N Kanal, MOSFET, 142 A 650 V Förbättring, 8 Ben, PG-HSOF-8, CoolSiC MOSFET 650 V G1
- Infineon N Kanal, MOSFET, 26 A 650 V Förbättring, 8 Ben, PG-HSOF-8, CoolSiC
- Infineon N Kanal, MOSFET, 13 A 650 V Förbättring, 8 Ben, PG-HSOF-8, IGT65