Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 54 A 650 V Förbättring, 8 Ben, PG-LHSOF-4, CoolSiC

Se alla MOSFET-transistor
Inte tillgänglig
RS kommer inte längre att lagerföra denna produkt.
RS-artikelnummer:
349-057
Tillv. art.nr:
IMTA65R040M2HXTMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

54A

Maximal källspänning för dränering Vds

650V

Kapseltyp

PG-LHSOF-4

Serie

CoolSiC

Fästetyp

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

49mΩ

Kanalläge

Förbättring

Maximal spänning för grindkälla Vgs

23 V

Maximal effektförlust Pd

242W

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

28nC

Maximal arbetstemperatur

175°C

Standarder/godkännanden

RoHS

Fordonsstandard

Nej

COO (ursprungsland):
MY
The Infineon CoolSiC MOSFET 650 V G2 is built on Infineon’s robust 2nd generation Silicon Carbide trench technology, offering unparalleled performance, superior reliability, and exceptional ease of use. This MOSFET enables cost effective, highly efficient, and simplified designs, making it ideal for meeting the ever-growing demands of modern power systems and markets. Its advanced technology provides a powerful solution for achieving high system efficiency in a wide range of applications.

Ultra low switching losses

Robust against parasitic turn‑on even with 0 V turn off gate voltage

Flexible driving voltage and compatible with bipolar driving scheme

Robust body diode operation under hard commutation events

The .XT interconnection technology for best in class thermal performance

Relaterade länkar