Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 17 A 750 V Förbättring, 7 Ben, PG-TO263-7, CoolSiC AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 348-926
- Tillv. art.nr:
- AIMBG75R140M1HXTMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 förpackning med 2 enheter)*
109,98 kr
(exkl. moms)
137,48 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
I lager
- 1 000 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 54,99 kr | 109,98 kr |
| 20 - 198 | 49,45 kr | 98,90 kr |
| 200 - 998 | 45,64 kr | 91,28 kr |
| 1000 - 1998 | 42,335 kr | 84,67 kr |
| 2000 + | 37,97 kr | 75,94 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 348-926
- Tillv. art.nr:
- AIMBG75R140M1HXTMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 17A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 750V | |
| Kapseltyp | PG-TO263-7 | |
| Serie | CoolSiC | |
| Fästetyp | Yta | |
| Antal ben | 7 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 182mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 12nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 100W | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 23 V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 17A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 750V | ||
Kapseltyp PG-TO263-7 | ||
Serie CoolSiC | ||
Fästetyp Yta | ||
Antal ben 7 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 182mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 12nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 100W | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 23 V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
- COO (ursprungsland):
- MY
The Infineon 750 V CoolSiC MOSFET is built over the solid silicon carbide technology developed in Infineon in more than 20 years. Leveraging the wide bandgapSiC material characteristics, the 750V CoolSiC MOSFET offers a unique combination of performance, reliability and ease of use. Suitable for high temperature and harsh operations, it enables the simplified and cost effective deployment of the highest system efficiency.
Infineon proprietary die attach technology
Driver source pin available
Enhanced robustness and reliability for bus voltages beyond 500 V
Superior efficiency in hard switching
Higher switching frequency in soft switching topologies
Robustness against parasitic turn on for unipolar gate driving
Best in class thermal dissipation
Reduced switching losses through improved gate control
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal 81 A 750 V Förbättring PG-TO263-7, CoolSiC AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal 64 A 750 V Förbättring PG-TO263-7, CoolSiC AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal 98 A 750 V Förbättring PG-TO263-7, CoolSiC AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal 47 A 750 V Förbättring PG-TO263-7, CoolSiC AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal 34 A 750 V Förbättring PG-TO263-7, CoolSiC AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal 24 A 750 V Förbättring PG-TO263-7, CoolSiC AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal 238 A 650 V Förbättring PG-TO263-7, CoolSiC
- Infineon Typ N Kanal 41 A 650 V Förbättring PG-TO263-7, CoolSiC