onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 51 A 650 V N, 3 Ben, TO-247-4L, NTH
- RS-artikelnummer:
- 327-809
- Tillv. art.nr:
- NTHL032N065M3S
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 enhet)*
98,56 kr
(exkl. moms)
123,20 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 71 enhet(er) från den 16 mars 2026
- Dessutom levereras 450 enhet(er) från den 06 maj 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 - 9 | 98,56 kr |
| 10 - 99 | 88,70 kr |
| 100 - 499 | 81,76 kr |
| 500 - 999 | 75,94 kr |
| 1000 + | 61,38 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 327-809
- Tillv. art.nr:
- NTHL032N065M3S
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | onsemi | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 51A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 650V | |
| Kapseltyp | TO-247-4L | |
| Serie | NTH | |
| Fästetyp | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 44mΩ | |
| Kanalläge | N | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 200W | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 22 V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 55nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | 4.5V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke onsemi | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 51A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 650V | ||
Kapseltyp TO-247-4L | ||
Serie NTH | ||
Fästetyp Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 44mΩ | ||
Kanalläge N | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 200W | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 22 V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 55nC | ||
Framåtriktad spänning Vf 4.5V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
The ON Semiconductor SiC MOSFETs are optimized for fast switching applications, featuring planar technology that ensures reliable operation with negative gate voltage drive and turn-off spikes on the gate. This family of MOSFETs provides optimal performance when driven with an 18V gate drive but also works effectively with a 15V gate drive.
Halide Free and RoHS Compliant
15V to 18V Gate Drive
Relaterade länkar
- onsemi Typ N Kanal 50 A 650 V N TO-247-4L, NTH
- onsemi Typ N Kanal 67 A 650 V Förbättring TO-247-4L, NTH
- onsemi Typ N Kanal 151 A 1200 V Förbättring TO-247-4L, NTH
- onsemi Typ N Kanal 140 A 750 V Förbättring TO-247-4L, NTH
- onsemi Typ N Kanal 40 A 650 V Förbättring TO-247, NTH
- onsemi Typ N Kanal 70 A 650 V Förbättring TO-247-3L, NTH
- onsemi Typ N Kanal 50 A 650 V N TO-247-4L, NVH
- onsemi Typ N Kanal 50 A 650 V N TO-247-4L, NVH AEC-Q101