Infineon Typ P Kanal, MOSFET, -32 A 100 V Förbättring, 8 Ben, PG-TDSON-8, OptiMOS Power Transistor
- RS-artikelnummer:
- 285-054
- Tillv. art.nr:
- ISC750P10LMATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Antal (1 rulle med 5000 enheter)*
83 985,00 kr
(exkl. moms)
104 980,00 kr
(inkl. moms)
Lagerinformation är för närvarande otillgänglig - kom tillbaka senare
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 5000 + | 16,797 kr | 83 985,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 285-054
- Tillv. art.nr:
- ISC750P10LMATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | -32A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 100V | |
| Kapseltyp | PG-TDSON-8 | |
| Serie | OptiMOS Power Transistor | |
| Fästetyp | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 75mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 188W | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | ±20 V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS Compliant | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id -32A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 100V | ||
Kapseltyp PG-TDSON-8 | ||
Serie OptiMOS Power Transistor | ||
Fästetyp Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 75mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 188W | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs ±20 V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS Compliant | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineon MOSFET är en avancerad effekt-MOSFET som är utformad för optimal effektivitet och mångsidighet i industriella tillämpningar. Med en robust P-kanalkonfiguration ger den exceptionellt lågt motstånd och kan hantera hög avloppsström, vilket gör den lämplig för en rad krävande elektroniska kretsar. Införlivandet av grindrivning på logisk nivå innebär att den fungerar sömlöst i lågspänningssystem. Med sin utmärkta termiska prestanda och tillförlitliga lavinhastigheter är denna effekttransistor idealisk för tillämpningar som kräver hållbarhet och tillförlitlighet under kontinuerlig belastning. Dess RoHS-överensstämmelse och halogenfria blybeläggning förbättrar ytterligare dess lämplighet för miljömedvetna konstruktioner, vilket ger tillverkarna lugn och ro på en konkurrensutsatt marknad.
Enastående växlingsprestanda för strömhantering
100 % lavintestat för tillförlitlighet
Lågt värmemotstånd för effektiv värmeavledning
Logisk nivådrivning för enkelt mikrokontrollergränssnitt
Blyfri blybeläggning för miljökompatibilitet
Konsekvent prestanda över ett brett temperaturområde
Optimerad för höghastighetsanvändningar
Stöder höga märkevärden för pulsström
Relaterade länkar
- Infineon Typ P Kanal -32 A 100 V Förbättring PG-TDSON-8, OptiMOS Power Transistor
- Infineon Typ P Kanal -19.6 A 60 V Förbättring PG-TDSON-8, OptiMOS Power Transistor
- Infineon Typ P Kanal -22 A 150 V Förbättring PG-TDSON-8, OptiMOS Power Transistor
- Infineon Typ P Kanal -59 A 60 V Förbättring PG-TDSON-8, OptiMOS Power Transistor
- Infineon Typ N Kanal 86 A 120 V Förbättring PG-TDSON-8, OptiMOS 6 Power Transistor
- Infineon Typ N Kanal 63 A 120 V Förbättring PG-TDSON-8, OptiMOS 6 Power Transistor
- Infineon 1 Typ N Kanal 8 Ben OptiMOS 6 Power Transistor
- Infineon Typ N Kanal 76 A 150 V Förbättring PG-TDSON-8, OptiMOS 5
