Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 63 A 120 V Förbättring, 8 Ben, PG-TDSON-8, OptiMOS 6 Power Transistor
- RS-artikelnummer:
- 285-049
- Tillv. art.nr:
- ISC104N12LM6ATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Antal (1 rulle med 5000 enheter)*
65 520,00 kr
(exkl. moms)
81 900,00 kr
(inkl. moms)
Lagerinformation är för närvarande otillgänglig - kom tillbaka senare
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 5000 + | 13,104 kr | 65 520,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 285-049
- Tillv. art.nr:
- ISC104N12LM6ATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 63A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 120V | |
| Kapseltyp | PG-TDSON-8 | |
| Serie | OptiMOS 6 Power Transistor | |
| Fästetyp | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 10.4mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 94W | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | ±20 V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS Compliant | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 63A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 120V | ||
Kapseltyp PG-TDSON-8 | ||
Serie OptiMOS 6 Power Transistor | ||
Fästetyp Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 10.4mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 94W | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs ±20 V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS Compliant | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineons MOSFET är en förstklassig effekttransistor som är utformad för högeffektiva tillämpningar. Med sina avancerade N-kanalers logiknivåegenskaper utmärker den sig för att ge mycket lågt motstånd vid tändning, vilket säkerställer optimala energibesparingar under drift. Det innovativa SuperSO8-huset förbättrar värmehanteringen, vilket gör det idealiskt för högfrekventa omkopplingsuppgifter. Detta tillstånd av ART-komponenten har utmärkt grindladdningsprestanda, vilket avsevärt minskar de förluster som vanligtvis uppstår i mindre sofistikerade enheter. Dessutom garanterar dess överensstämmelse med RoHS och halogenfria föreskrifter ett engagemang för miljövänlig teknik.
N-kanalteknik för överlägsen prestanda
Lågt motstånd vid påverkan minskar effektförlusten
Utformad för högfrekvent omkoppling
Uppfyller industristandarder för tillförlitlighet
RoHS och halogenfria för miljövänlighet
Hanterar hög lavin-energi för robusthet
Optimerad för synkron utjämning
Förbättrade termiska egenskaper för bättre värmeavledning
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal 63 A 120 V Förbättring PG-TDSON-8, OptiMOS 6 Power Transistor
- Infineon Typ P Kanal -19.6 A 60 V Förbättring PG-TDSON-8, OptiMOS Power Transistor
- Infineon Typ P Kanal -22 A 150 V Förbättring PG-TDSON-8, OptiMOS Power Transistor
- Infineon Typ P Kanal -32 A 100 V Förbättring PG-TDSON-8, OptiMOS Power Transistor
- Infineon Typ P Kanal -59 A 60 V Förbättring PG-TDSON-8, OptiMOS Power Transistor
- Infineon Typ N Kanal 86 A 120 V Förbättring PG-TDSON-8, OptiMOS 6 Power Transistor
- Infineon 1 Typ N Kanal 8 Ben OptiMOS 6 Power Transistor
- Infineon Typ N Kanal 76 A 150 V Förbättring PG-TDSON-8, OptiMOS 5
