Infineon 1 Typ N Kanal, MOSFET 120 V Förbättring, 8 Ben, PG-TDSON-8 FL, OptiMOS 6 Power Transistor

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rulle med 5000 enheter)*

126 190,00 kr

(exkl. moms)

157 740,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Lagerinformation är för närvarande otillgänglig - kom tillbaka senare
Enheter
Per enhet
Per rulle*
5000 +25,238 kr126 190,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
285-044
Tillv. art.nr:
ISC037N12NM6ATMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal källspänning för dränering Vds

120V

Serie

OptiMOS 6 Power Transistor

Kapseltyp

PG-TDSON-8 FL

Fästetyp

Yta

Antal ben

8

Kanalläge

Förbättring

Standarder/godkännanden

No

Antal element per chip

1

Fordonsstandard

Nej

Infineons MOSFET-funktioner är en högpresterande N-kanals effekttransistor som ger exceptionell effektivitet och tillförlitlighet för ett brett utbud av tillämpningar. Med innovativa termiska egenskaper utmärker sig denna komponent i krävande miljöer med temperaturer upp till 175 °C. Den är byggd med avancerad OptiMOS-teknik och säkerställer minimala energiförluster och förbättrade omkopplingsmöjligheter, vilket gör den idealisk för högfrekventa tillämpningar. Oavsett om den används i industriella miljöer eller används i synkron utjämning, uppfyller den här enheten strikta RoHS-krav, vilket säkerställer att den uppfyller moderna miljöstandarder.

Optimerad för högfrekvent omkoppling

Blyfri blybeläggning för överensstämmelse

MSL 1 klassificerad för tillförlitlighet

Låg omvänd återhämtningsladdning förbättrar effektiviteten

Hög lavinenergibetyg för skydd

Utmärkt grindladdning minskar driftsförluster

Relaterade länkar