Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 151 A 60 V Förbättring, 8 Ben, PG-WHSON-8, OptiMOS
- RS-artikelnummer:
- 284-755
- Tillv. art.nr:
- IQE022N06LM5SCATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 förpackning med 5 enheter)*
119,50 kr
(exkl. moms)
149,40 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 100 enhet(er) från den 16 mars 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 23,90 kr | 119,50 kr |
| 50 - 95 | 22,714 kr | 113,57 kr |
| 100 - 495 | 21,012 kr | 105,06 kr |
| 500 - 995 | 19,354 kr | 96,77 kr |
| 1000 + | 18,636 kr | 93,18 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 284-755
- Tillv. art.nr:
- IQE022N06LM5SCATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 151A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Serie | OptiMOS | |
| Kapseltyp | PG-WHSON-8 | |
| Fästetyp | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 2.2mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 100W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 26nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20 V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS, JEDEC, IEC61249-2-21 | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 151A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Serie OptiMOS | ||
Kapseltyp PG-WHSON-8 | ||
Fästetyp Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 2.2mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 100W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 26nC | ||
Framåtriktad spänning Vf 1V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20 V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS, JEDEC, IEC61249-2-21 | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineons MOSFET har en OptiMOS 5-effekttransistor och är en mycket effektiv MOSFET som är utformad för att uppfylla kraven på avancerade strömhanteringstillämpningar. Med en effektdissipationskapacitet som gör det möjligt för den att fungera tillförlitligt under intensiva förhållanden säkerställer denna effekttransistor optimal effektivitet och värmehantering. Dess Pb-fria och RoHS-kompatibla konstruktion bekräftar dess användbarhet i miljökänsliga tillämpningar, samtidigt som den också är halogenfri, vilket förbättrar dess anpassningsförmåga inom olika sektorer. Den är fullt kvalificerad enligt JEDEC-standarderna för industriella tillämpningar och är en pålitlig komponent för ingenjörer som söker pålitliga, högpresterande lösningar.
Optimerad för strömhantering
Stöder synkron utjämning i SMPS
N-kanal med logiknivåkompatibilitet
Mycket lågt motstånd vid påverkan för termisk prestanda
Överlägset värmebeständighet för tillförlitlighet
100 % lavintestat för driftssäkerhet
Överensstämmer med miljöbestämmelser
Omfattande validering för industriell användning
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal 151 A 60 V Förbättring PG-WHSON-8, OptiMOS
- Infineon Typ N Kanal 151 A 150 V Förbättring PG-WHSON-8, IQD0
- Infineon Typ N Kanal 99 A 80 V Förbättring PG-WHSON-8, OptiMOS
- Infineon Typ N Kanal 132 A 60 V Förbättring PG-WHSON-8, OptiMOS
- Infineon Typ N Kanal 789 A 25 V Förbättring PG-WHSON-8, OptiMOS 5
- Infineon Typ N Kanal 276 A 100 V Förbättring PG-WHSON-8, IQD0
- Infineon Typ N Kanal 151 A 60 V Förbättring PG-TTFN-9, OptiMOS
- Infineon Typ P Kanal 14.9 A -30 V Förbättring PG-DSO-8, OptiMOS