onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 140 A 750 V Förbättring, 7 Ben, TO-247-4L, NTH
- RS-artikelnummer:
- 277-041
- Tillv. art.nr:
- NTH4L018N075SC1
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 enhet)*
240,58 kr
(exkl. moms)
300,72 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 27 juli 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 - 9 | 240,58 kr |
| 10 - 99 | 216,50 kr |
| 100 + | 199,70 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 277-041
- Tillv. art.nr:
- NTH4L018N075SC1
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | onsemi | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 140A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 750V | |
| Kapseltyp | TO-247-4L | |
| Serie | NTH | |
| Fästetyp | Genomgående hål | |
| Antal ben | 7 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 13.5mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 262nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 22 V | |
| Maximal effektförlust Pd | 500W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 4.5V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke onsemi | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 140A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 750V | ||
Kapseltyp TO-247-4L | ||
Serie NTH | ||
Fästetyp Genomgående hål | ||
Antal ben 7 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 13.5mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 262nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 22 V | ||
Maximal effektförlust Pd 500W | ||
Framåtriktad spänning Vf 4.5V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
The ON Semiconductor SiC MOSFET uses a completely new technology that provide superior switching performance and higher reliability compared to Silicon. In addition, the low ON resistance and compact chip size ensure low capacitance and gate charge. Consequently, system benefits include highest efficiency, faster operation frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size.
Ultra low gate charge
High speed switching with low capacitance
100% avalanche tested
Device is Halide Free and RoHS compliant
Relaterade länkar
- onsemi Typ N Kanal 151 A 1200 V Förbättring TO-247-4L, NTH
- onsemi Typ N Kanal 67 A 650 V Förbättring TO-247-4L, NTH
- onsemi Typ N Kanal 51 A 650 V N TO-247-4L, NTH
- onsemi Typ N Kanal 50 A 650 V N TO-247-4L, NTH
- onsemi 1 Typ N Kanal 4 Ben, TO-247-4L
- onsemi Typ N Kanal 40 A 650 V Förbättring TO-247, NTH
- onsemi Typ N Kanal 58 A 1200 V Förbättring TO-247, NTH
- onsemi Typ N Kanal 17.3 A 1200 V Förbättring TO-247, NTH
