ROHM R65 1 Type N-Channel MOSFET, 125 A, 30 V Enhancement, 8-Pin HSMT-8 RH6E040BGTB1

Se alla MOSFETs
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 längd med 10 enheter)*

95,76 kr

(exkl. moms)

119,70 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 100 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per Längd*
10 - 909,576 kr95,76 kr
100 - 2409,094 kr90,94 kr
250 - 4908,422 kr84,22 kr
500 - 9907,773 kr77,73 kr
1000 +7,47 kr74,70 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
265-310
Tillv. art.nr:
RH6E040BGTB1
Tillverkare / varumärke:
ROHM
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

ROHM

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

125A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Package Type

HSMT-8

Series

R65

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

2.9mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1.2V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

30.0nC

Maximum Power Dissipation Pd

78W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS Compliant

Number of Elements per Chip

1

The ROHM Power MOSFET features low on resistance and is housed in a compact, high power small mould package. It is well suited for a variety of applications, including switching, motor drives, and DC/DC converters, delivering efficient performance in space-constrained environments.

Pb free plating

RoHS compliant

High power small mould package

Low on resistance

100 percent Rg and UIS tested

relaterade länkar