ROHM Dubbel N Kanal, Enkla MOSFETs 80 V Förbättring, 8 Ben, HSMT-8, HT8MD5HT
- RS-artikelnummer:
- 687-385
- Tillv. art.nr:
- HT8MD5HTB1
- Tillverkare / varumärke:
- ROHM
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 längd med 2 enheter)*
39,20 kr
(exkl. moms)
49,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 200 enhet(er) från den 16 mars 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per tejp* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 19,60 kr | 39,20 kr |
| 20 - 48 | 17,36 kr | 34,72 kr |
| 50 - 198 | 15,57 kr | 31,14 kr |
| 200 - 998 | 12,545 kr | 25,09 kr |
| 1000 + | 12,15 kr | 24,30 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 687-385
- Tillv. art.nr:
- HT8MD5HTB1
- Tillverkare / varumärke:
- ROHM
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | ROHM | |
| Kanaltyp | Dubbel N | |
| Produkttyp | Enkla MOSFETs | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 80V | |
| Kapseltyp | HSMT-8 | |
| Serie | HT8MD5HT | |
| Fästetyp | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 165mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | ±20 V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 3.1nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 13.0W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 3.45mm | |
| Höjd | 0.8mm | |
| Bredd | 3.4 mm | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke ROHM | ||
Kanaltyp Dubbel N | ||
Produkttyp Enkla MOSFETs | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 80V | ||
Kapseltyp HSMT-8 | ||
Serie HT8MD5HT | ||
Fästetyp Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 165mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs ±20 V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 3.1nC | ||
Maximal effektförlust Pd 13.0W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 3.45mm | ||
Höjd 0.8mm | ||
Bredd 3.4 mm | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard Nej | ||
The ROHM Power MOSFET designed for versatile electronic applications. With its dual N channel and P channel configuration, this component delivers exceptional performance, allowing for effective power management in motor drives and other demanding circuits. Features such as low on-resistance ensure minimal power loss during operation, while the HSMT8 packaging allows for a compact footprint without compromising performance. HT8MD5H supports a wide voltage range and is compliant with RoHS and halogen-free standards, making it an ideal choice for environmentally-conscious designs. Built with reliability in mind, this MOSFET is suitable for various applications requiring robust performance under varying conditions.
Low on resistance designs enhance efficiency in power applications
High power capabilities in a compact HSMT8 package streamline integration
RoHS compliant and halogen-free construction supports eco-friendly designs
100% Rg and UIS tested for reliability under demanding operational conditions
Optimised for motor drive applications, ensuring effective power control
Wide voltage range ensures versatility in various electronic environments
Designed to withstand maximum junction temperatures of up to 150°C