ROHM 1 Typ N Kanal, MOSFET, 120 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-263AB, RJ1

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 längd med 2 enheter)*

64,74 kr

(exkl. moms)

80,92 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 100 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per tejp*
2 - 1832,37 kr64,74 kr
20 - 19829,175 kr58,35 kr
200 - 99826,935 kr53,87 kr
1000 - 199824,975 kr49,95 kr
2000 +20,27 kr40,54 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
264-884
Tillv. art.nr:
RJ1P07CBHTL1
Tillverkare / varumärke:
ROHM
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

ROHM

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

120A

Maximal källspänning för dränering Vds

100V

Kapseltyp

TO-263AB

Serie

RJ1

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

5.1mΩ

Kanalläge

Förbättring

Maximal effektförlust Pd

135W

Maximal spänning för grindkälla Vgs

±20 V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Framåtriktad spänning Vf

1.2V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

73.0nC

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

RoHS Compliant

Antal element per chip

1

ROHM Nch 100 V 120 A TO-263AB effekt-MOSFET med lågt motstånd vid påverkan och högeffektshölje i litet gjutform, lämplig för omkoppling.

Låg på-resistans

Högpresterande litet gjuthölje (TO263AB)

Blyfri plätering och överensstämmer med RoHS

100 % UIS-testat

Relaterade länkar