ROHM RJ1 1 Type N-Channel MOSFET, 120 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-263AB RJ1P07CBHTL1

Se alla MOSFETs
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 längd med 2 enheter)*

64,74 kr

(exkl. moms)

80,92 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 100 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per Längd*
2 - 1832,37 kr64,74 kr
20 - 19829,175 kr58,35 kr
200 - 99826,935 kr53,87 kr
1000 - 199824,975 kr49,95 kr
2000 +20,27 kr40,54 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
264-884
Tillv. art.nr:
RJ1P07CBHTL1
Tillverkare / varumärke:
ROHM
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

ROHM

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

120A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Package Type

TO-263AB

Series

RJ1

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

5.1mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1.2V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

135W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±20 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

73.0nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS Compliant

Number of Elements per Chip

1

The ROHM Nch 100V 120A TO-263AB power MOSFET with low on-resistance and high power small mold package, suitable for switching.

Low on-resistance

High power small mold package (TO263AB)

Pb-free plating and RoHS compliant

100% UIS tested

relaterade länkar