ROHM 1 Typ N Kanal, MOSFET, 105 A 150 V Förbättring, 3 Ben, TO-263AB, RJ1

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 enhet)*

76,50 kr

(exkl. moms)

95,62 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 100 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
1 - 976,50 kr
10 - 9968,99 kr
100 - 49963,39 kr
500 - 99958,91 kr
1000 +47,94 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
264-880
Tillv. art.nr:
RJ1R10BBHTL1
Tillverkare / varumärke:
ROHM
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

ROHM

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

105A

Maximal källspänning för dränering Vds

150V

Kapseltyp

TO-263AB

Serie

RJ1

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

8.2mΩ

Kanalläge

Förbättring

Framåtriktad spänning Vf

1.2V

Maximal effektförlust Pd

181W

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20 V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

130nC

Maximal arbetstemperatur

150°C

Antal element per chip

1

ROHM Nch 150 V 170 A TO-263AB effekt-MOSFET med lågt motstånd vid påverkan och högeffektshölje i litet gjutform, lämplig för omkoppling.

Låg på-resistans

Högpresterande litet gjuthölje (TO263AB)

Blyfri plätering och överensstämmer med RoHS

100 % UIS-testat

Relaterade länkar