ROHM Typ N Kanal, MOSFET, 24 A 1200 V Förbättring, 7 Ben, TO-263, SCT

Mängdrabatt möjlig

Antal (1 längd med 5 enheter)*

486,98 kr

(exkl. moms)

608,725 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 1 000 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per tejp*
5 - 4597,396 kr486,98 kr
50 - 9592,512 kr462,56 kr
100 +85,724 kr428,62 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
264-592
Tillv. art.nr:
SCT4062KWATL
Tillverkare / varumärke:
ROHM
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

ROHM

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

24A

Maximal källspänning för dränering Vds

1200V

Serie

SCT

Kapseltyp

TO-263

Fästetyp

Yta

Antal ben

7

Maximal drain-källresistans Rds

124mΩ

Kanalläge

Förbättring

Minsta arbetsstemperatur

-40°C

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

54nC

Framåtriktad spänning Vf

3.3V

Maximal spänning för grindkälla Vgs

±21 V

Maximal effektförlust Pd

93W

Maximal arbetstemperatur

175°C

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

Nej

The ROHM 1200V 24A silicon carbide SiC trench MOSFET in a 7-pin SMD package offers high voltage resistance, low on-resistance, and fast switching speed.

Low on-resistance

Fast switching speed

Fast reverse recovery

Easy to parallel

Simple to drive

Pb-free lead plating and RoHS compliant

Wide creep age distance equal to min. 4.7mm

Relaterade länkar