onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 151 A 1200 V Förbättring, 4 Ben, TO-247-4L, NTH
- RS-artikelnummer:
- 220-567
- Tillv. art.nr:
- NTH4L013N120M3S
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 förpackning med 1 enhet)*
338,46 kr
(exkl. moms)
423,08 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
I lager
- 418 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Förpackning(ar) | Per förpackning |
|---|---|
| 1 - 9 | 338,46 kr |
| 10 - 99 | 304,53 kr |
| 100 + | 280,78 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 220-567
- Tillv. art.nr:
- NTH4L013N120M3S
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | onsemi | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 151A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 1200V | |
| Serie | NTH | |
| Kapseltyp | TO-247-4L | |
| Fästetyp | Genomgående hål | |
| Antal ben | 4 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 13mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 254nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | 4.7V | |
| Maximal effektförlust Pd | 682W | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 22 V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | Halide Free and RoHS with Exemption 7a | |
| Bredd | 15.6 mm | |
| Höjd | 5mm | |
| Längd | 16.2mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke onsemi | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 151A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 1200V | ||
Serie NTH | ||
Kapseltyp TO-247-4L | ||
Fästetyp Genomgående hål | ||
Antal ben 4 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 13mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 254nC | ||
Framåtriktad spänning Vf 4.7V | ||
Maximal effektförlust Pd 682W | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 22 V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden Halide Free and RoHS with Exemption 7a | ||
Bredd 15.6 mm | ||
Höjd 5mm | ||
Längd 16.2mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
The ON Semiconductor MOSFETs is optimized for fast switching applications. Planar technology works reliably with negative gate voltage drive and turn off spikes on the gate. This family has optimum performance when driven with 18V gate drive but also works well with 15V gate drive.
Halide Free
RoHS Compliant
Relaterade länkar
- onsemi Typ N Kanal 140 A 750 V Förbättring TO-247-4L, NTH
- onsemi Typ N Kanal 67 A 650 V Förbättring TO-247-4L, NTH
- onsemi Typ N Kanal 58 A 1200 V Förbättring TO-247, NTH
- onsemi Typ N Kanal 17.3 A 1200 V Förbättring TO-247, NTH
- onsemi Typ N Kanal 29 A 1200 V Förbättring TO-247, NTH
- onsemi Typ N Kanal 60 A 1200 V Förbättring TO-247, NTH
- onsemi Typ N Kanal 29 A 1200 V Förbättring TO-247, NTH
- onsemi Typ N Kanal 84 A 1200 V Förbättring TO-247, NTH
