Nexperia PSM Type N-Channel MOSFET, 120 A, 100 V Enhancement, 4-Pin LFPAK PSMN3R7-100BSEJ

Se alla MOSFETs
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 längd med 1 enhet)*

48,61 kr

(exkl. moms)

60,76 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 06 juli 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Längd(er)
Per Längd
1 - 948,61 kr
10 - 9943,68 kr
100 +40,32 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
219-348
Tillv. art.nr:
PSMN3R7-100BSEJ
Tillverkare / varumärke:
Nexperia
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Nexperia

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

120A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Package Type

LFPAK

Series

PSM

Mount Type

Surface

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

3.95mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

176nC

Minimum Operating Temperature

25°C

Maximum Power Dissipation Pd

405W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
PH
The Nexperia N-Channel MOSFET features very low RDS(on) and enhanced safe operating area performance. It is optimized for hot-swap controllers, capable of withstanding high inrush currents and minimizing I²R losses for improved efficiency. Applications include hot-swap, load switching, soft start, and e-fuse.

SOA for superior linear mode operation

LFPAK88 package for applications that demand the highest performance

relaterade länkar