Nexperia PSM Type N-Channel MOSFET, 120 A, 100 V Enhancement, 5-Pin LFPAK PSMN3R9-100YSFX

Mängdrabatt möjlig

Antal (1 längd med 1 enhet)*

24,86 kr

(exkl. moms)

31,08 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 1 440 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Längd(er)
Per Längd
1 - 924,86 kr
10 - 9922,40 kr
100 - 49920,61 kr
500 - 99919,26 kr
1000 +17,25 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
219-278
Tillv. art.nr:
PSMN3R9-100YSFX
Tillverkare / varumärke:
Nexperia
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Nexperia

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

120A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Series

PSM

Package Type

LFPAK

Mount Type

Surface

Pin Count

5

Maximum Drain Source Resistance Rds

4.3mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

294W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

120nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

10 V

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
PH
The Nexperia N-Channel MOSFET is qualified to 175°C. It is Ideal for both industrial and consumer applications. It is suitable for synchronous rectification in AC-DC and DC-DC converters, primary side switching in 48V DC-DC systems, BLDC motor control, USB-PD and mobile fast-charge adapters, as well as flyback and resonant topologies.

Strong avalanche energy rating

Avalanche rated and 100% tested

Ha free and RoHS compliant

relaterade länkar