STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 6 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, SuperMESH

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 förpackning med 10 enheter)*

90,94 kr

(exkl. moms)

113,68 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 70 enhet(er) från den 23 mars 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
10 +9,094 kr90,94 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
151-942
Tillv. art.nr:
STP6NK60Z
Tillverkare / varumärke:
STMicroelectronics
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

STMicroelectronics

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

6A

Maximal källspänning för dränering Vds

600V

Kapseltyp

TO-220

Serie

SuperMESH

Fästetyp

Genomgående hål

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

1.2Ω

Kanalläge

Förbättring

Maximal spänning för grindkälla Vgs

±30 V

Framåtriktad spänning Vf

1.6V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

33nC

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal arbetstemperatur

150°C

Bredd

10.4 mm

Höjd

28.9mm

Längd

28.9mm

Standarder/godkännanden

RoHS

Fordonsstandard

Nej

COO (ursprungsland):
CN
The STMicroelectronics Power MOSFET is obtained through an extreme optimization of well established strip based Power MESH layout. In addition to pushing on resistance significantly down, special care is taken to ensure a very good dv/dt capability for the most demanding applications.

Extremely high dv/dt capability

100% avalanche tested

Gate charge minimized

Relaterade länkar