STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 6 A 1200 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, MDmesh K5

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rör med 30 enheter)*

2 249,97 kr

(exkl. moms)

2 812,47 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 570 enhet(er) från den 02 april 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rör*
30 +74,999 kr2 249,97 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
151-922
Tillv. art.nr:
STW8N120K5
Tillverkare / varumärke:
STMicroelectronics
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

STMicroelectronics

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

6A

Maximal källspänning för dränering Vds

1200V

Kapseltyp

TO-247

Serie

MDmesh K5

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

2Ω

Kanalläge

Förbättring

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

13.7nC

Framåtriktad spänning Vf

1.5V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal spänning för grindkälla Vgs

30 V

Maximal effektförlust Pd

130W

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

RoHS

Fordonsstandard

Nej

COO (ursprungsland):
CN
The STMicroelectronics Power MOSFET is designed using MDmesh K5 technology based on an innovative proprietary vertical structure. The result is a dramatic reduction in on resistance and ultra low gate charge for applications requiring superior power density and high efficiency.

Industry’s lowest RDS(on) x area

Industry’s best FoM

Ultra low gate charge

100% avalanche tested

Zener protected

Relaterade länkar