STMicroelectronics Typ P Kanal, MOSFET, 35 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, STripFET F6

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rulle med 2500 enheter)*

17 545,00 kr

(exkl. moms)

21 930,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 02 juli 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
2500 +7,018 kr17 545,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
151-911
Tillv. art.nr:
STD35P6LLF6
Tillverkare / varumärke:
STMicroelectronics
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

STMicroelectronics

Kanaltyp

Typ P

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

35A

Maximal källspänning för dränering Vds

60V

Serie

STripFET F6

Kapseltyp

TO-252

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

0.028Ω

Kanalläge

Förbättring

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20 V

Framåtriktad spänning Vf

1.5V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

30nC

Maximal effektförlust Pd

70W

Maximal arbetstemperatur

175°C

Standarder/godkännanden

RoHS

Fordonsstandard

Nej

COO (ursprungsland):
CN
STMicroelectronics P-kanals effekt-MOSFET, som utvecklats med STripFET F6-teknik, med en ny grindgrindstruktur. Den resulterande Power MOSFET har mycket låg RDS(on) i alla höljen.

Mycket lågt motstånd under drift

Mycket låg grindladdning

Hög motståndskraft mot laviner

Låg effektförlust för grinddrivning

Relaterade länkar