STMicroelectronics Typ P Kanal, MOSFET, 35 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, STripFET F6
- RS-artikelnummer:
- 151-912
- Tillv. art.nr:
- STD35P6LLF6
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 längd med 5 enheter)*
110,88 kr
(exkl. moms)
138,60 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 2 385 enhet(er) från den 31 augusti 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per tejp* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 22,176 kr | 110,88 kr |
| 50 - 245 | 13,82 kr | 69,10 kr |
| 250 - 495 | 10,528 kr | 52,64 kr |
| 500 + | 9,43 kr | 47,15 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 151-912
- Tillv. art.nr:
- STD35P6LLF6
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 35A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Serie | STripFET F6 | |
| Kapseltyp | TO-252 | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 0.028Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 30nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.5V | |
| Maximal effektförlust Pd | 70W | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 35A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Serie STripFET F6 | ||
Kapseltyp TO-252 | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 0.028Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 30nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.5V | ||
Maximal effektförlust Pd 70W | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
STMicroelectronics P-kanals effekt-MOSFET, som utvecklats med STripFET F6-teknik, med en ny grindgrindstruktur. Den resulterande Power MOSFET har mycket låg RDS(on) i alla höljen.
Mycket lågt motstånd under drift
Mycket låg grindladdning
Hög motståndskraft mot laviner
Låg effektförlust för grinddrivning
Relaterade länkar
- STMicroelectronics Typ P Kanal, MOSFET, 35 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, STripFET F6
- STMicroelectronics Typ P Kanal, MOSFET, 10 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, STripFET
- STMicroelectronics Typ P Kanal, MOSFET, 12 A 30 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, STripFET
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 35 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, STripFET
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 35 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, STripFET II
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 50 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, STripFET
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 24 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, STripFET
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 17 A 30 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, STripFET