STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 85 A 1000 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, SuperMESH

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 längd med 10 enheter)*

53,98 kr

(exkl. moms)

67,48 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 1 990 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per tejp*
10 - 905,398 kr53,98 kr
100 - 2405,118 kr51,18 kr
250 - 4904,76 kr47,60 kr
500 - 9904,379 kr43,79 kr
1000 +4,211 kr42,11 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
151-902
Tillv. art.nr:
STD2NK100Z
Tillverkare / varumärke:
STMicroelectronics
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

STMicroelectronics

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

85A

Maximal källspänning för dränering Vds

1000V

Serie

SuperMESH

Kapseltyp

TO-252

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

8.5Ω

Kanalläge

Förbättring

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal spänning för grindkälla Vgs

30 V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

16nC

Maximal effektförlust Pd

70W

Framåtriktad spänning Vf

1.6V

Maximal arbetstemperatur

159°C

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

Nej

COO (ursprungsland):
CN
STMicroelectronics Power MOSFET är en högspänningsenhet med Zener-skyddad N-kanal som utvecklats med SuperMESH-teknik, en optimering av den väletablerade PowerMESH. Förutom en avsevärd minskning av motståndet på är denna enhet utformad för att säkerställa en hög nivå av dv/dt-kapacitet för de mest krävande tillämpningarna.

Minimal grindladdning

Mycket låg inneboende kapacitans

Zener-skyddad

Relaterade länkar