DiodesZetex N Kanal, MOSFET, 630 mA 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, DMN2004K AEC-Q200, AEC-Q100, AEC-Q104, AEC-Q101

Antal (1 rulle med 3000 enheter)*

3 186,00 kr

(exkl. moms)

3 984,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Lagerinformation är för närvarande otillgänglig - kom tillbaka senare
Enheter
Per enhet
Per rulle*
3000 +1,062 kr3 186,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
922-8008
Tillv. art.nr:
DMN2004K-7
Tillverkare / varumärke:
DiodesZetex
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

DiodesZetex

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

630mA

Maximal källspänning för dränering Vds

20V

Serie

DMN2004K

Kapseltyp

SOT-23

Typ av fäste

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

900mΩ

Kanalläge

Förbättring

Maximal effektförlust Pd

350mW

Maximal spänning för grindkälla Vgs

-8V, +8V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

0.9nC

Minsta arbetsstemperatur

-65°C

Framåtriktad spänning Vf

1V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Bredd

1.4mm

Längd

3mm

Standarder/godkännanden

No

Höjd

1.1mm

Fordonsstandard

AEC-Q200, AEC-Q100, AEC-Q104, AEC-Q101

COO (ursprungsland):
CN

N-kanal MOSFET, 12 V till 28 V, Diodes Inc


MOSFET-transistorer, inbyggda dioder


Relaterade länkar