DiodesZetex N Kanal, MOSFET, 630 mA 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, DMN2004K AEC-Q200, AEC-Q100, AEC-Q104, AEC-Q101

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rulle med 3000 enheter)*

3 186,00 kr

(exkl. moms)

3 984,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 18 mars 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
3000 +1,062 kr3 186,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
922-8008
Tillv. art.nr:
DMN2004K-7
Tillverkare / varumärke:
DiodesZetex
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

DiodesZetex

Kanaltyp

N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

630mA

Maximal källspänning för dränering Vds

20V

Kapseltyp

SOT-23

Serie

DMN2004K

Typ av fäste

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

900mΩ

Kanalläge

Förbättring

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

0.9nC

Minsta arbetsstemperatur

-65°C

Maximal effektförlust Pd

350mW

Maximal spänning för grindkälla Vgs

8V

Framåtriktad spänning Vf

1V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

No

Längd

3mm

Höjd

1.1mm

Bredd

1.4mm

Fordonsstandard

AEC-Q200, AEC-Q100, AEC-Q104, AEC-Q101

COO (ursprungsland):
CN

N-kanal MOSFET, 12 V till 28 V, Diodes Inc


MOSFET-transistorer, inbyggda dioder


Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.