DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 630 mA 20 V Förbättring, 3 Ben, SC-89, DMG1012T-7 AEC-Q104, AEC-Q200, AEC-Q100,

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 rulle med 3000 enheter)*

2 709,00 kr

(exkl. moms)

3 387,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 36 000 enhet(er) är redo att levereras
  • Dessutom levereras 453 000 enhet(er) från den 01 maj 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
Per rulle*
3000 - 60000,903 kr2 709,00 kr
9000 +0,858 kr2 574,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
922-8367
Tillv. art.nr:
DMG1012T-7
Tillverkare / varumärke:
DiodesZetex
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

DiodesZetex

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

630mA

Maximal källspänning för dränering Vds

20V

Kapseltyp

SC-89

Serie

DMG1012T-7

Typ av fäste

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

700mΩ

Kanalläge

Förbättring

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal effektförlust Pd

280mW

Framåtriktad spänning Vf

1.2V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

0.74nC

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

No

Höjd

0.8mm

Längd

1.7mm

Fordonsstandard

AEC-Q104, AEC-Q200, AEC-Q100, AEC-Q101

COO (ursprungsland):
CN

N-kanals MOSFET, 12V till 28V, Diodes Inc


MOSFET-transistorer, inbyggda dioder


Relaterade länkar