DiodesZetex 2 Typ P, Typ N Kanal Isolerad, MOSFET, 8.2 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SOIC AEC-Q101

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rulle med 2500 enheter)*

5 442,50 kr

(exkl. moms)

6 802,50 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 23 april 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
2500 +2,177 kr5 442,50 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
170-9039
Tillv. art.nr:
DMC3026LSD-13
Tillverkare / varumärke:
DiodesZetex
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

DiodesZetex

Kanaltyp

Typ P, Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

8.2A

Maximal källspänning för dränering Vds

30V

Kapseltyp

SOIC

Typ av fäste

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

29mΩ

Kanalläge

Förbättring

Maximal spänning för grindkälla Vgs

-20V, +20V

Framåtriktad spänning Vf

700mV

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

6nC

Maximal effektförlust Pd

1.6W

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal arbetstemperatur

+150°C

Transistorkonfiguration

Isolerad

Höjd

1.5mm

Längd

4.95mm

Standarder/godkännanden

MIL-STD-202, AEC-Q101, UL 94V-0, RoHS, J-STD-020

Bredd

3.95mm

Antal element per chip

2

Fordonsstandard

AEC-Q101

COO (ursprungsland):
CN

Dubbel N/P-kanal MOSFET, Diodes Inc.


MOSFET-transistorer, inbyggda dioder


Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.