STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 42 A 710 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, MDmesh M5
- RS-artikelnummer:
- 783-3009
- Tillv. art.nr:
- STP57N65M5
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 enhet)*
101,92 kr
(exkl. moms)
127,40 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 28 september 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 - 4 | 101,92 kr |
| 5 - 9 | 96,77 kr |
| 10 - 24 | 87,25 kr |
| 25 - 49 | 78,51 kr |
| 50 + | 74,48 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 783-3009
- Tillv. art.nr:
- STP57N65M5
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 42A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 710V | |
| Kapseltyp | TO-220 | |
| Serie | MDmesh M5 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 63mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.3V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 98nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 250W | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Höjd | 15.75mm | |
| Längd | 10.4mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 42A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 710V | ||
Kapseltyp TO-220 | ||
Serie MDmesh M5 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 63mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.3V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 98nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 250W | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Höjd 15.75mm | ||
Längd 10.4mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
N-kanals MDmesh™ M5-serien, STMicroelectronics
Effekt-MOSFET:erna i MDmesh M5-serien är optimerade för högeffekts PFC- och PWM-topologier. Bland de viktigaste egenskaperna kan nämnas låga on-state-förluster per kiselarea i kombination med låg gate-laddning. De är konstruerade för energimedvetna, kompakta och tillförlitliga applikationer med hård switchning, t.ex. solenergiomvandlare, strömförsörjning för konsumentprodukter och elektronisk belysningskontroll.
MOSFET-transistorer, STMicroelectronics
Relaterade länkar
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 42 A 710 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, MDmesh M5
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 42 A 710 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, MDmesh M5
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 42 A 710 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, MDmesh M5
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 35 A 710 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, MDmesh M5
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 30 A 710 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, MDmesh M5
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 18 A 710 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, MDmesh M5
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 130 A 710 V Förbättring, 3 Ben, MDmesh M5
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 22 A 710 V Förbättring, 5 Ben, PowerFLAT, MDmesh M5