IXYS Typ N Kanal, MOSFET, 26 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, HiperFET, Polar

Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriser

Antal (1 rör med 30 enheter)*

2 201,82 kr

(exkl. moms)

2 752,26 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 30 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
Per rör*
30 - 12073,394 kr2 201,82 kr
150 - 27069,138 kr2 074,14 kr
300 +59,08 kr1 772,40 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
920-0760
Tillv. art.nr:
IXFH26N60P
Tillverkare / varumärke:
IXYS
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

IXYS

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

26A

Maximal källspänning för dränering Vds

600V

Serie

HiperFET, Polar

Kapseltyp

TO-247

Typ av fäste

Genomgående hål

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

270mΩ

Kanalläge

Förbättring

Framåtriktad spänning Vf

1.5V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

72nC

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal effektförlust Pd

460W

Maximal arbetstemperatur

150°C

Höjd

21.46mm

Standarder/godkännanden

No

Längd

16.26mm

Fordonsstandard

Nej

N-kanals effekt-MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™-serie


N-kanaliga effekt-MOSFET:er med snabb inbyggd diod (HiPerFET™) från IXYS

MOSFET-transistorer, IXYS


Ett brett utbud av avancerade diskreta effekt-MOSFET-enheter från IXYS

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.