Vishay Typ P Kanal, MOSFET, -530 mA -150 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, Si2325DS

RS-artikelnummer:: 919-0275
Tillv. art.nr:: SI2325DS-T1-E3
Tillverkare / varumärke:: Vishay

Vishay Typ P Kanal, MOSFET, -530 mA -150 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, Si2325DS

Antal (1 rulle med 3000 enheter)*

13 833,00 kr

(exkl. moms)

17 292,00 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr

Tillfälligt slut

Leverans från den 17 december 2026

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet	Per rulle*
3000 +	4,611 kr	13 833,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 919-0275
Tillv. art.nr:: SI2325DS-T1-E3
Tillverkare / varumärke:: Vishay

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Vishay
	Kanaltyp	Typ P
	Produkttyp	MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	-530mA
	Maximal källspänning för dränering Vds	-150V
	Serie	Si2325DS
	Kapseltyp	SOT-23
	Typ av fäste	Yta
	Antal ben	3
	Maximal drain-källresistans Rds	1.2Ω
	Kanalläge	Förbättring
	Maximal effektförlust Pd	750mW
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Maximal spänning för grindkälla Vgs	20V
	Framåtriktad spänning Vf	-1.2V
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs	7.7nC
	Maximal arbetstemperatur	150°C
	Höjd	1.02mm
	Längd	3.04mm
	Bredd	1.4mm
	Standarder/godkännanden	RoHS
	Fordonsstandard	Nej

	Välj alla
	Varumärke Vishay
	Kanaltyp Typ P
	Produkttyp MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id -530mA
	Maximal källspänning för dränering Vds -150V
	Serie Si2325DS
	Kapseltyp SOT-23
	Typ av fäste Yta
	Antal ben 3
	Maximal drain-källresistans Rds 1.2Ω
	Kanalläge Förbättring
	Maximal effektförlust Pd 750mW
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V
	Framåtriktad spänning Vf -1.2V
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs 7.7nC
	Maximal arbetstemperatur 150°C
	Höjd 1.02mm
	Längd 3.04mm
	Bredd 1.4mm
	Standarder/godkännanden RoHS
	Fordonsstandard Nej

COO (ursprungsland):: CN

Si2325DS-serien MOSFET från Vishay, -150 V maximal drain-källspänning, 1,2 Ω maximalt drain-källmotstånd - SI2325DS-T1-E3

Denna p-kanal MOSFET är en ytmonterad halvledarenhet som är utformad för högspänningsswitchning och styrning i kompakta monteringar. Den fungerar som en förstärkningslägetransistor som är lämplig för användning där omvänd polaritet eller high-side-omkoppling krävs, och är optimerad för låg strömförlust i SOT-23-kapslar med liten formfaktor. Enheten fungerar över ett brett temperaturområde, vilket gör den lämplig för varierade industriella elektroniska sammanhang.

Funktioner och fördelar:

• Maximal drain-källspänning stöder 150 V-tillämpningar • Drain-source-motstånd på 1,2 Ω minskar ledningsförluster • Kontinuerlig dräneringsström på -530 mA möjliggör blygsam belastning • Typisk grindladdning på 7,7 nC möjliggör snabbare grindövergångar • Nominell effektförlust på 750 mW begränsar värmeuppbyggnad • Gate-source-spänningstolerans på 20 V möjliggör robusta drivmarginaler

Användningsområden

• Lämplig för omkoppling av högspänningslaster i automationssystem • Idealisk för high-side-omkoppling i styr- och strömmoduler • Används för omvänd polaritetsskydd i elektronikkonstruktioner • Kan användas för nivåförskjutna gate-drivkretsar • Lämpligt för kompakta strömhanteringskort i instrumentering

Vilka är de termiska gränserna för tillförlitlig drift?

Enheten är specifik för drift mellan -55 °C och 150 °C, vilket möjliggör användning i typiska industriella temperaturområden.

Hur påverkar förpackningen kortets layout?

SOT-23 ytmonteringspaket med tre stift och kompakt fotavtryck stöder tät montering och enkel värme via placering för värmehantering.

Vilken elektrisk begränsning bör konstruktörer observera för grindstyrning?

Konstruktörer måste begränsa gate-källspänning inom ±20 V för att undvika dielektrisk gate-belastning och säkerställa långsiktig tillförlitlighet.

Hur bör överväganden om effektförlust påverka kylstrategin?

Med en dissipationsklassning på 750 mW bör konstruktörer tillhandahålla tillräcklig kopparyta eller kylelement på kretskortet för att bibehålla kopplingstemperaturer under belastning.