Vishay N Kanal, MOSFET, 4.3 A 100 V Förbättring, 3 Ben, IPAK (TO-251)

För närvarande inte tillgänglig
Tyvärr, vi vet inte när detta kommer att finnas i lager igen.
RS-artikelnummer:
918-9871
Tillv. art.nr:
IRLU110PBF
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Vishay

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

4.3A

Maximal källspänning för dränering Vds

100V

Kapseltyp

IPAK (TO-251)

Typ av fäste

Genomgående hål, Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

0.76Ω

Kanalläge

Förbättring

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

6.1nC

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal effektförlust Pd

25W

Maximal spänning för grindkälla Vgs

-10V, +10V

Framåtriktad spänning Vf

2.5V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

Halogen Free According to IEC 61249-2-21, JEDEC JS709A, RoHS Directive 2002/95/EC

Bredd

2.38mm

Längd

6.73mm

Höjd

6.22mm

Fordonsstandard

Nej

COO (ursprungsland):
MY

N-kanal MOSFET, 100 V till 150 V, Vishay Semiconductor


MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor


Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.