Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 4.3 A 100 V Förbättring, 3 Ben, IPAK (TO-251)
- RS-artikelnummer:
- 918-9871
- Tillv. art.nr:
- IRLU110PBF
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 rör med 75 enheter)*
695,55 kr
(exkl. moms)
869,40 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 24 juni 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rör* |
|---|---|---|
| 75 - 75 | 9,274 kr | 695,55 kr |
| 150 - 300 | 8,809 kr | 660,68 kr |
| 375 + | 8,348 kr | 626,10 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 918-9871
- Tillv. art.nr:
- IRLU110PBF
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 4.3A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 100V | |
| Kapseltyp | IPAK (TO-251) | |
| Typ av fäste | Genomgående hål, Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 0.76Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 6.1nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | 2.5V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 10V | |
| Maximal effektförlust Pd | 25W | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Bredd | 2.38mm | |
| Standarder/godkännanden | Halogen Free According to IEC 61249-2-21, JEDEC JS709A, RoHS Directive 2002/95/EC | |
| Längd | 6.73mm | |
| Höjd | 6.22mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 4.3A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 100V | ||
Kapseltyp IPAK (TO-251) | ||
Typ av fäste Genomgående hål, Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 0.76Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 6.1nC | ||
Framåtriktad spänning Vf 2.5V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 10V | ||
Maximal effektförlust Pd 25W | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Bredd 2.38mm | ||
Standarder/godkännanden Halogen Free According to IEC 61249-2-21, JEDEC JS709A, RoHS Directive 2002/95/EC | ||
Längd 6.73mm | ||
Höjd 6.22mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- MY
N-kanal MOSFET, 100 V till 150 V, Vishay Semiconductor
MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor
Relaterade länkar
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 4.3 A 100 V Förbättring, 3 Ben, IPAK (TO-251)
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 4.3 A 100 V Förbättring, 3 Ben, IPAK (TO-251), IRFU
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 14 A 50 V Förbättring, 3 Ben, IPAK (TO-251)
- STMicroelectronics Typ N Kanal, Effekt-MOSFET, 5 A 600 V Förbättring, 3 Ben, IPAK (TO-251), MDmesh
- onsemi 1 Typ N Kanal Enkel, MOSFET, 4.5 A 600 V Förbättring, 3 Ben, IPAK (TO-251), SuperFET II
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 3.1 A 100 V Förbättring, 3 Ben, IPAK (TO-251)
- onsemi Typ P Kanal, MOSFET, 3.7 A 200 V Förbättring, 3 Ben, IPAK (TO-251), QFET
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 5 A 650 V Förbättring, 3 Ben, IPAK