onsemi 1 Enkel, MOSFET, 9.4 A 60 V Förbättring, 3 Ben, IPAK (TO-251)
- RS-artikelnummer:
- 671-5335
- Tillv. art.nr:
- FQU11P06TU
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer tillbaka i lager, RS har för avsikt att ta bort den från vårt utbud snart.
- RS-artikelnummer:
- 671-5335
- Tillv. art.nr:
- FQU11P06TU
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | onsemi | |
| Antal element per chip | 1 | |
| Transistorkonfiguration | Enkel | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström (Id) | 9.4 A | |
| Maximal källspänning för dränering (Vds) | 60 V | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Antal ben | 3 | |
| Kapseltyp | IPAK (TO-251) | |
| Maximal drain-källresistans (Rds) | 185 mΩ | |
| Maximal spänning för grindkälla (Vgs) | -30 V, +30 V | |
| Maximal arbetstemperatur | +150 °C | |
| Maximal effektförlust (Pd) | 2.5 W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55 °C | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke onsemi | ||
Antal element per chip 1 | ||
Transistorkonfiguration Enkel | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström (Id) 9.4 A | ||
Maximal källspänning för dränering (Vds) 60 V | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Antal ben 3 | ||
Kapseltyp IPAK (TO-251) | ||
Maximal drain-källresistans (Rds) 185 mΩ | ||
Maximal spänning för grindkälla (Vgs) -30 V, +30 V | ||
Maximal arbetstemperatur +150 °C | ||
Maximal effektförlust (Pd) 2.5 W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55 °C | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Enhancement Mode P-Channel MOSFET, ON Semiconductor
ON Semiconductors range of P-Channel MOSFETS are produced using ON Semi’s proprietary, high cell density, DMOS technology. This very high density process has been designed to minimize on-state resistance to provide a rugged and reliable performance for fast switching.
Features and Benefits:
• Voltage controlled P-Channel small signal switch
• High-Density cell design
• High saturation current
• Superior switching
• Great rugged and reliable performance
• DMOS technology
Applications:
• Load Switching
• DC/DC converter
• Battery protection
• Power management control
• DC motor control
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The Advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
Relaterade länkar
- onsemi 1 N Kanal Enkel, MOSFET, 4.5 A 600 V Förbättring, 3 Ben, IPAK (TO-251), SuperFET II
- onsemi N Kanal, MOSFET, 14 A 50 V Förbättring, 3 Ben, IPAK (TO-251)
- onsemi Typ P Kanal, MOSFET, 3.7 A 200 V Förbättring, 3 Ben, IPAK (TO-251), QFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 9.4 A 100 V Förbättring, 3 Ben, IPAK, HEXFET
- Vishay N Kanal, MOSFET, 4.3 A 100 V Förbättring, 3 Ben, IPAK (TO-251)
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 3.1 A 100 V Förbättring, 3 Ben, IPAK (TO-251)
- Vishay N Kanal, MOSFET, 4.3 A 100 V Förbättring, 3 Ben, IPAK (TO-251), IRFU
- STMicroelectronics N Kanal, Effekt-MOSFET, 5 A 600 V Förbättring, 3 Ben, IPAK (TO-251), MDmesh