onsemi 1 Enkel, MOSFET, 9.4 A 60 V Förbättring, 3 Ben, IPAK (TO-251)
- RS-artikelnummer:
- 671-5335
- Tillv. art.nr:
- FQU11P06TU
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer tillbaka i lager, RS har för avsikt att ta bort den från vårt utbud snart.
- RS-artikelnummer:
- 671-5335
- Tillv. art.nr:
- FQU11P06TU
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | onsemi | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 9.4A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Kapseltyp | IPAK (TO-251) | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 185mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 2.5W | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | -30V, +30V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | +150°C | |
| Transistorkonfiguration | Enkel | |
| Antal element per chip | 1 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke onsemi | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 9.4A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Kapseltyp IPAK (TO-251) | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 185mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 2.5W | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs -30V, +30V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur +150°C | ||
Transistorkonfiguration Enkel | ||
Antal element per chip 1 | ||
Förbättringsläge P-kanal MOSFET, ON Semiconductor
ON Semiconductors sortiment av P-kanal MOSFETS produceras med ON Semis egenutvecklade DMOS-teknik med hög celltäthet. Denna process med mycket hög densitet har utformats för att minimera motståndet vid påslagning för att ge en robust och tillförlitlig prestanda för snabb omkoppling.
Funktioner och fördelar:
• Spänningsstyrd P-kanal-småsignalomkopplare
• Celdesign med hög densitet
• Hög mättnadsström
• Överlägsen omkoppling
• Mycket robust och tillförlitlig prestanda
• DMOS-teknik
Användningsområden:
• Lastväxling
• DC/DC-omvandlare
• Batteriskydd
• Strömhanteringskontroll
• DC-motorstyrning
MOSFET-transistorer, ON Semi
><
ON Semi MOSFET-transistorer ger överlägsen konstruktionstillförlitlighet från minskade spänningsspikar och överspänning, för att sänka kopplingskapaciteten och omvänd återställningsladdning, för att eliminera ytterligare externa komponenter för att hålla systemen igång och igång längre.
Relaterade länkar
- onsemi 1 N Kanal Enkel, MOSFET, 4.5 A 600 V Förbättring, 3 Ben, IPAK (TO-251), SuperFET II
- onsemi N Kanal, MOSFET, 14 A 50 V Förbättring, 3 Ben, IPAK (TO-251)
- onsemi Typ P Kanal, MOSFET, 3.7 A 200 V Förbättring, 3 Ben, IPAK (TO-251), QFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 9.4 A 100 V Förbättring, 3 Ben, IPAK, HEXFET
- Vishay N Kanal, MOSFET, 4.3 A 100 V Förbättring, 3 Ben, IPAK (TO-251)
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 3.1 A 100 V Förbättring, 3 Ben, IPAK (TO-251)
- Vishay N Kanal, MOSFET, 4.3 A 100 V Förbättring, 3 Ben, IPAK (TO-251), IRFU
- STMicroelectronics N Kanal, Effekt-MOSFET, 5 A 600 V Förbättring, 3 Ben, IPAK (TO-251), MDmesh