onsemi Typ P Kanal, MOSFET, 11 A 20 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, PowerTrench
- RS-artikelnummer:
- 145-5691
- Tillv. art.nr:
- FDS6576
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Antal (1 rulle med 2500 enheter)*
15 182,50 kr
(exkl. moms)
18 977,50 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Sista RS lager
- Slutlig(a) 12 500 enhet(er), redo att levereras
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 2500 + | 6,073 kr | 15 182,50 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 145-5691
- Tillv. art.nr:
- FDS6576
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | onsemi | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 11A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 20V | |
| Kapseltyp | SOIC | |
| Serie | PowerTrench | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 0.014Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 43nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 2.5W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 12V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 5mm | |
| Höjd | 1.5mm | |
| Bredd | 4mm | |
| Standarder/godkännanden | RoHS Compliant | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke onsemi | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 11A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 20V | ||
Kapseltyp SOIC | ||
Serie PowerTrench | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 0.014Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 43nC | ||
Maximal effektförlust Pd 2.5W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 12V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 5mm | ||
Höjd 1.5mm | ||
Bredd 4mm | ||
Standarder/godkännanden RoHS Compliant | ||
Fordonsstandard Nej | ||
PowerTrench® MOSFET med P-kanal, Fairchild Semiconductor
PowerTrench® MOSFETs är optimerade strömbrytare som ger ökad systemeffektivitet och effekttäthet. De kombinerar liten grindladdning (Qg), liten omvänd återhämtningsladdning (Qrr) och mjuk omvänd återhämtningsdiod, vilket bidrar till snabb växling av synkron likriktning i AC/DC-strömförsörjningar.
De senaste PowerTrench® MOSFET:erna har en struktur med avskärmad grind som ger laddningsbalans. Tack vare denna avancerade teknik är FOM (Figure of Merit) för dessa enheter betydligt lägre än för tidigare generationer.
PowerTrench® MOSFET:ernas prestanda med mjuk diod kan eliminera snubberkretsar eller ersätta en MOSFET med högre spänning.
MOSFET-transistorer, ON Semi
ON Semi erbjuder en omfattande portfölj av MOSFET-enheter som inkluderar högspänning (>250 V) och lågspänning (<250 V) typer. Den avancerade kiseltekniken ger mindre matrisstorlekar, som den är inbyggd i flera industristandard och värmeförstärkta kapslingar.
ON Semi MOSFET-transistorer ger överlägsen konstruktionstillförlitlighet från minskade spänningsspikar och överspänning, för att sänka kopplingskapaciteten och omvänd återställningsladdning, för att eliminera ytterligare externa komponenter för att hålla systemen igång och igång längre.
Relaterade länkar
- onsemi Typ P Kanal, MOSFET, 11 A 20 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, PowerTrench
- onsemi Typ P Kanal, MOSFET, 11 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, PowerTrench
- onsemi Typ P Kanal, MOSFET, 8.8 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, PowerTrench
- onsemi Typ P Kanal, MOSFET, 3.5 A 20 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, PowerTrench
- onsemi Typ P Kanal, MOSFET, 8 A 20 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, PowerTrench
- onsemi Typ P Kanal, MOSFET, 20 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, PowerTrench
- onsemi Typ P Kanal, MOSFET, 8.2 A 40 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, PowerTrench
- onsemi Typ P Kanal, MOSFET, 13 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, PowerTrench