STMicroelectronics Typ P Kanal, MOSFET, 10 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, STripFET
- RS-artikelnummer:
- 917-2747P
- Tillv. art.nr:
- STD10P6F6
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal 200 enheter (levereras i en rulle)*
1 586,60 kr
(exkl. moms)
1 983,20 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 580 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 200 - 480 | 7,933 kr |
| 500 + | 6,61 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 917-2747P
- Tillv. art.nr:
- STD10P6F6
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 10A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Serie | STripFET | |
| Kapseltyp | TO-252 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 160mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | -1.1V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Maximal effektförlust Pd | 30W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 6.4nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Bredd | 7.45mm | |
| Längd | 6.6mm | |
| Höjd | 2.38mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 10A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Serie STripFET | ||
Kapseltyp TO-252 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 160mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf -1.1V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Maximal effektförlust Pd 30W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 6.4nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Bredd 7.45mm | ||
Längd 6.6mm | ||
Höjd 2.38mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
P-kanal STripFETTM effekt-MOSFET, STMicroelectronics
STripFETTM MOSFET-enheter med ett brett brytningsspänningsområde erbjuder ultralåg grindladdning och lågt motstånd under drift.